[发明专利]半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器(1)，所述半导体激光器具有：

-半导体层序列(2)，所述半导体层序列包括n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)，

-由透明导电氧化物构成的对于所述激光辐射能穿透的p型接触层(3)，所述p型接触层用于将电流直接注入到所述p型区域(23)中，和

-导电的且金属的p型接触结构(4)，所述p型接触结构直接处于所述p型接触层(3)处，

其中

-所述p型接触层(3)是用于引导所述激光辐射的外罩层的一部分，使得所述激光辐射在所述半导体激光器(1)运行时常规地进入到所述p型接触层(3)中，

-所述半导体层序列(2)具有两个棱面(25)，所述棱面形成用于所述激光辐射的谐振器端面，

-在直接在所述棱面(25)中的至少一个棱面处的电流保护区域(5)中，禁止到所述p型区域(23)中的电流注入，

-所述电流保护区域(5)在垂直于所属的所述棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于所述激光辐射的谐振器长度的最高20％，

-在所述电流保护区域(5)中，移除所述p型接触层(3)，并且在所述电流保护区域(5)中，至少一个附加层(63)直接施加在所述p型区域(23)上，

-所述附加层(63)是电绝缘的，并且所述附加层(63)的厚度等于所述p型接触层(3)的厚度，

-在所述电流保护区域(5)中，所述附加层(63)部分地或完全地由所述p型接触结构(4)覆盖，

并且

-所述附加层(63)不仅在所述电流保护区域(5)中、而且也在所属的所述棱面(25)上施加。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中所述p型接触层(3)和所述p型接触结构(4)在平行于所述有源区(22)的方向上与所述棱面(25)中的另一棱面平接。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在所述电流保护区域(5)中，完全地移除所述p型接触层(3)和所述p型接触结构(4)。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中所述附加层(63)具有比所述p型区域(23)更高的比热导率。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中在所述电流保护区域(5)中，在平行于所述有源区(22)的方向上，所述附加层(63)与所述p型接触层(3)间隔开。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器(1)，

其中所述附加层(63)对于在所述有源区(22)中产生的激光辐射构成为抗反射层或构成为高反射层。

7.根据权利要求1或6所述的半导体激光器(1)，

其中所述附加层(63)在所述棱面(25)处的厚度等于在所述p型区域(23)处、在所述p型接触层(3)的延长部中的厚度。

8.根据权利要求1或6所述的半导体激光器(1)，

其中在横截面中观察L形的附加层(63)的不同的腿部处，所述附加层(63)的厚度彼此不同。

9.根据权利要求1或6所述的半导体激光器(1)，

其中所述棱面(25)仅部分地由所述附加层(63)覆盖。

10.根据权利要求1或6所述的半导体激光器(1)，

其中所述附加层(63)具有比所述p型区域(23)和比所述p型接触层(3)更高的比热导率，

其中所述附加层(63)包括如下材料中的一种或多种：Al₂O₃、SiO₂、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、Si₃N₄、AlN、SiC、类金刚石的碳。

11.根据权利要求1或6所述的半导体激光器(1)，

其中所述附加层(63)具有对于所述激光辐射而言高低交替的折射率的层的序列。