[发明专利]一种改进型ALD镀膜机

说明书

本发明属于原子层镀膜领域，具体是一种改进型ALD镀膜机，包括在内部上设置有半月板的内反应腔，和内反应腔盖；在所述内反应腔盖上贯穿有电机轴，而电机轴一端固定在步进电机上，另一端与半月板连接；内反应腔盖上开设有多片呈环形阵列分布的通孔片区，而通孔片区是由多个呈阵列分布的连接孔组成；所述半月板上放置有多个呈环形分布的晶圆；导入的氮气通过内反应腔盖上的通孔片区中的多个呈阵列分布的连接孔流向晶圆表面，发生化学反应，而多片呈环形阵列分布的通孔片区配合半月板相对内反应腔盖转动，实现氮气均匀流向晶圆表面，氮气气流稳定，镀膜的均匀性高；半月板上一次性放置有多个呈环形分布的晶圆进行镀膜，极大的提高了工作效率。

技术领域

本发明涉及原子层镀膜领域，具体是一种改进型ALD镀膜机。

背景技术

已有的空间ALD（atomic layer deposition，单原子层沉积）机台普遍体积较大，且结构复杂，前驱体气路和吹扫气路作为不同的腔体，是完全分开的；而另外多片工艺的ALD机台设计如：Picosun （芬兰ALD设备供应商）都是利用金属cassette（晶圆装载盒）的方法，这种方法会导致运送晶圆十分复杂，而且不稳定，手动取片比较多，如果使用自动化的方法，经常出现掉片的现象；ASM（美国ALD设备供应商）及TEL（日本ALD设备供应商）的多片式ALD炉子方法所使用气体及前驱体使用效率低，会造成巨大的浪费。

因此，针对上述问题，本发明提供一种改进型ALD镀膜机。

发明内容

本发明的目的在于提供一种改进型ALD镀膜机，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种改进型ALD镀膜机，包括在内部上设置有半月板的内反应腔，所述该镀膜机还包括内反应腔盖，所述内反应腔盖安装在所述内反应腔顶部；

在所述内反应腔盖上转动贯穿有电机轴，而电机轴一端固定在步进电机的输出轴上，另一端与半月板连接；其中，在靠近半月板一侧的内反应腔盖上开设有多片呈环形阵列分布的通孔片区，而通孔片区是由多个呈阵列分布的连接孔组成；

所述内反应腔盖外接有前驱体源管道和氮气管道；

在靠近所述内反应腔盖一侧的半月板上放置有多个呈环形分布的晶圆；

启动步进电机，步进电机通过电机轴带动半月板转动，完成半月板相对内反应腔盖转动，氮气管道中导入的氮气通过内反应腔盖上的通孔片区中的多个呈阵列分布的连接孔流向晶圆表面，发生化学反应，而多片呈环形阵列分布的通孔片区配合半月板相对内反应腔盖转动，实现氮气均匀流向晶圆表面，氮气气流稳定，镀膜的均匀性高；同时半月板上一次性放置有多个呈环形分布的晶圆进行镀膜，极大的提高了工作效率。

本发明进一步的方案：在所述内反应腔盖中心位置处配合电机轴开设有穿插孔。

本发明再进一步的方案：所述通孔片区在内反应腔盖上开设有十二个，且呈环形阵列分布。

本发明再进一步的方案：所述晶圆在半月板上放置有三个，且半月板上开始有用于限位晶圆的卡槽。

本发明再进一步的方案：所述内反应腔外侧安装有隔热屏，隔热屏顶部可分离式限位在内反应腔盖上，在隔热屏内部设置有多个电加热丝。

本发明再进一步的方案：在所述内反应腔底部连接有粉末收集器，粉末收集器另一端连接在真空泵上，而真空泵上连接有酸性排气腔。

本发明再进一步的方案：所述半月板上放置有三个呈环形分布的晶圆。

本发明再进一步的方案：在所述内反应腔盖上固定有电缸Ⅰ和电缸Ⅱ，而电缸Ⅰ和电缸Ⅱ安装在电缸支架上。

进而，启动电缸Ⅰ和电缸Ⅱ，并在电缸支架的支撑下，实现提升抬离内反应腔盖。