[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底内形成第一导电结构，所述衬底暴露出所述第一导电结构的顶部表面，所述第一导电结构暴露出的顶部表面具有副产物层；

进行清洗处理，去除所述副产物层；

在所述清洗处理之后，在所述衬底上形成第一介质层，所述第一介质层内具有暴露出所述第一导电结构的第一开口。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述衬底包括：基底与第二介质层，所述第一导电结构位于所述第二介质层内。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括单层基底、SOI基底或鳍式基底。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在第一开口内形成第二导电结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构包括导电插塞或导电层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述副产物层的材料包括氧化物。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述副产物层的厚度为10埃～50埃。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗处理的工艺包括湿法刻蚀工艺。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述清洗处理的工艺包括：清洗液包括氢氟酸溶液、所述氢氟酸溶液中氢氟酸与水的比例为1：1000～1：2000。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介质层之前，还包括：在所述基底上形成第三介质层，所述第三介质层内具有第三导电结构。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三导电结构包括导电插塞、导电层或器件结构。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成第一介质层之前，还包括：在所述第二介质层上形成阻挡层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化硅或氮化硅。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的材料包括高k介质材料、低k介质材料和超低k介质材料中的一种或多种组合。

15.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二介质层内形成第一导电结构的方法包括：在所述第二介质层内形成接触孔；在所述接触孔内形成初始第一导电结构；对所述初始第一导电结构进行平坦化处理，形成所述第一导电结构。

16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述平坦化处理的工艺包括化学机械打磨工艺。

17.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构的材料包括金属，所述金属包括铜、钴、钨、铝、钛、氮化钛、钽、氮化钽和钌中的一种或多种。