[发明专利]一种巨量转移方法

说明书

本发明涉及显示器制造领域，具体涉及一种巨量转移方法，其步骤包括，提供一生长基板，所述生长基板上有多个LED芯片；提供一临时基板，将所述LED芯片粘附于所述临时基板的所述胶合剂层上，剥离所述生长基板；在所述LED芯片上涂覆形成光刻胶层；曝光显影所述光刻胶层后形成多个凹槽，在所述光刻胶层上涂覆热塑性材料形成热塑性材料转移器，所述待转移的LED芯片粘附至所述热塑性材料转移器上，移除所述光刻胶层，将待转移的LED芯片与所述胶合剂层分离；将所述待转移LED芯片转移至显示背板，加热分离所述热塑性材料转移器，完成LED芯片的转移。无需设置转移头即可完成LED芯片的转移。

技术领域

本发明涉及LED显示器制造技术领域，尤其涉及一种巨量LED芯片转移方法。

背景技术

MICRO-LED显示器，具有良好的稳定性、寿命以及运行温度上的优势，同时也承继了 LED低功耗、色彩饱和度、反应速度快、对比度强等优点,具有极大的应用前景。

通常MICRO-LED显示背板上包括了若干像素区域SPR，每个像素区域SPR包括红光LED、蓝光LED、绿光LED芯片，在显示器的制作过程中，需要将红绿蓝三种LED芯片从 各自的生长基板(WAFER)转移到显示背板上。

传统转移微LED芯片的方法为借由封装基板接合(Wafer Bonding)将微元件自转移封装 基板转移至接收封装基板。转移方法的其中一种实施方法为直接转移，也就是直接将微元件 阵列自转移封装基板接合至接收封装基板，之后通过剥离或者蚀刻将转移封装基板移除，制 作转移常常需要牺牲掉多余的外延层。另一种实施方法为间接转移，首先，转移媒质提取微 元件阵列，接着转移媒质再将微元件阵列接合至接收封装基板，然后移除转移媒质。转移媒 质要求耐高温。

由于微LED芯片尺寸在100um以下，因此，在巨量转移的过程中，传统的制作转移头进行转移。则需要将转移头需要做得非常小与之匹配，对精度要求非常高，因而对转移设备的制造要求也会非常高。

发明内容

基于以上问题，本发明设计一种巨量转移方法，其能够高效且精确的转移微LED芯片， 其具体结构如下。

一种巨量转移方法，包括步骤，

提供一第一生长基板，所述第一生长基板上生长有多个第一LED芯片，每个第一LED 芯片的电极背离所述第一生长基板；

提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有胶合剂层，将所述第一LED芯片的电 极粘附于所述第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；

在所述第一临时基板的第一LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第一光刻胶层，所述第一 光刻胶层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度h1；

通过曝光显影方式在所述第一光刻胶层上形成多个第一凹槽，所述待转移的第一LED芯 片从所述第一凹槽中露出；

在加热的条件下，在所述第一光刻胶层上及所述第一凹槽中涂覆热塑性材料，随后冷却 固化形成第一热塑性材料转移器；

待转移的第一LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第一光刻 胶层通过曝光显影的方式移除；

用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离；

通过移动所述第一热塑性材料转移器，将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片转移 至显示背板，键合所述LED芯片和显示背板，加热所述第一热塑性材料转移器，将其与所述 第一热塑性材料转移器上的LED芯片分离，完成LED芯片的转移过程。

进一步的，如上述方法用第二热塑性材料转移器转移多个第二LED芯片时，若所述第一 LED芯片的高度h1与所述第二LED芯片的高度不相等，预设覆盖所述第LED二芯片的第二光刻胶层的高度为H2，则满足条件：H2-h2＞|h2-h1|。