[发明专利]一种巨量转移方法

权利要求书

1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：

提供一第一生长基板，所述第一生长基板上生长有多个第一LED芯片，每个第一LED芯片的电极背离所述第一生长基板；

提供一第一临时基板，所述第一临时基板上设置有第一胶合剂层，将所述第一LED芯片的电极粘附于所述第一胶合剂层上，剥离所述第一生长基板；

在所述第一临时基板的第一LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层的厚度H1大于所述第一LED芯片的高度h1；

通过曝光显影方式在所述第一光刻胶层上形成多个第一凹槽，待转移的所述第一LED芯片从所述第一凹槽中露出；

在加热的条件下，在所述第一光刻胶层上及所述第一凹槽中涂覆热塑性材料，随后冷却固化形成第一热塑性材料转移器；

待转移的第一LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第一光刻胶层用显影液移除；

用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离；

通过移动所述第一热塑性材料转移器，将所述第一热塑性材料转移器上的所述第一LED芯片转移至显示背板，键合所述第一LED芯片至所述显示背板上，加热所述第一热塑性材料转移器，将所述第一热塑性材料转移器与所述第一LED芯片分离，完成第一LED芯片的转移过程。

2.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，用如权利要求1所述的方法用第二热塑性材料转移器转移多个第二LED芯片时，若所述第一LED芯片的高度h1与所述第二LED芯片的高度h2不相等，则预设覆盖所述第二LED芯片的光刻胶层的高度为H2，则满足条件：H2-h2＞|h2-h1|。

3.如权利要求2所述的巨量转移方法，其特征在于，转移所述第二LED芯片后再用第三热塑性材料转移器进行多个第三LED芯片的转移，若所述第一LED芯片的高度h1、所述第二LED芯片的高度h2以及所述第三LED芯片的高度h3互不相等，则预设覆盖所述第三LED芯片的光刻胶层的高度为H3，则满足条件：H3-h3＞|h3-h1|且H3-h3＞|h3-h2|。

4.如权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在所述将剩余的所述第一光刻胶层通过曝光显影的方式移除的步骤之后，以及所述用激光选择性地将所述第一热塑性材料转移器上的LED芯片与对应的胶合剂层分离的步骤之前，还包括，

提供一第二生长基板，所述第二生长基板上有多个第二LED芯片，每个第二LED芯片的电极背离所述第二生长基板；

提供一第二临时基板，所述第二临时基板上设置有第二胶合剂层，将所述第二LED芯片的电极粘附于所述第二胶合剂层上，剥离所述第二生长基板；

在所述第二临时基板的第二LED芯片上涂覆光刻胶材料，形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的厚度为H2’，所述第二LED芯片的高度h2’，且满足条件：H2’≥h2’+H1；

通过曝光显影方式在所述第二光刻胶层上形成多个第二凹槽，将待转移的第二LED芯片从所述第二凹槽中露出；

通过曝光显影方式在所述第二光刻胶层上形成多个第三凹槽，所述第三凹槽用于容置所述第一热塑性材料转移器上的所述第一LED芯片；

在加热的条件下，添加液态热塑性材料，使其填满所述第二凹槽；将所述第一热塑性材料转移器移动到所述第二临时基板上；

冷却固化新添加的热塑性材料，待转移的第二LED芯片粘附至所述第一热塑性材料转移器上后，将剩余的所述第二光刻胶层通过曝光显影的方式移除。