[发明专利]掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法

说明书

一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，掩膜版包括：基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。本发明能够在保证主图形正常转移的同时降低所述掩膜版的透光率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法。

背景技术

光刻工艺是半导体器件制造工艺中的一个重要步骤，常规光刻技术是采用波长为2000～4500埃的紫外光作为曝光光线，以掩膜版为中间媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片(主要指硅片)或介质层上的一种工艺。

光刻掩膜版是光刻工艺所使用的图形母版，是由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形结构。掩膜版的应用十分广泛，在涉及光刻工艺的领域都有应用，如IC(Integrated Circuit，集成电路)、FPD(Flat Panel Display，平板显示器)、PCB(PrintedCircuit Boards，印刷电路板)制造领域等。

但是，现有掩膜版的结构仍有待改进。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法，在保证主图形正常转移的同时能够降低所述掩膜版的透光率。

为解决上述问题，本发明提供一种掩膜版，包括：基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。

可选的，所述辅助图形呈直线状、点状或者曲线状。

可选的，所述辅助图形的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。

可选的，所述辅助图形与所述主图形距离大于所述曝光光线波长的二分之一。

可选的，所述辅助图形的数量为一个或者多个。

可选的，当所述辅助图形的数量为多个时，相邻所述辅助图形间距大于所述曝光光线波长的三分之一。

相应的，本发明还提供一种上述掩膜版的版图，包括所述主图形及辅助图形。

相应的，本发明还提供一种光刻系统，包括：光源，适于发出曝光光线；掩膜版，适于接收所述曝光光线，输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；投影光学系统，适于接收所述处理光线并对所述处理光线进行投影；晶片，适于接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。

可选的，所述晶片包括基底及覆盖所述基底表面的光刻胶层。

相应的，本发明还提供一种所述光刻系统的光刻工艺方法，包括：所述光源发出曝光光线；所述掩膜版接收所述曝光光线，并输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；所述投影光学系统接收所述处理光线，并将所述处理光线投影至所述晶片表面上；所述晶片接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

所述掩膜版包括基板及遮光膜，所述基板对于曝光光线具有透光性，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面。所述遮光膜形成主图形及辅助图形。由于所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，因而所述主图形可通过曝光过程转移至晶片上。由于所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移，因此所述辅助图形不会转移至晶片上，因而不会影响到所述主图形的正常转移过程。再者，由于所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性，因此所述辅助图形能够降低曝光光线照射所述掩膜版的透光率，从而防止位于所述掩膜版与晶片间的投影光学系统发热过快，更好地保护投影光学系统，延长该系统的使用寿命。