[发明专利]掩膜版、版图、光刻系统及其光刻工艺方法在审
| 申请号： | 202010161896.7 | 申请日： | 2020-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN111240149A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掩膜版 版图 光刻 系统 及其 工艺 方法 | ||
1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
基板，所述基板对于曝光光线具有透光性；
遮光膜，所述遮光膜覆盖所述基板部分底部表面，所述遮光膜形成主图形及辅助图形，所述主图形对于曝光光线具有遮光性且可转移，所述辅助图形对于曝光光线具有遮光性但不可转移。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形呈直线状、点状或者曲线状。
3.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形的宽度小于所述曝光光线波长的四分之一。
4.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形与所述主图形距离大于所述曝光光线波长的二分之一。
5.如权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述辅助图形的数量为一个或者多个。
6.如权利要求5所述的掩膜版，其特征在于，当所述辅助图形的数量为多个时，相邻所述辅助图形间距大于所述曝光光线波长的三分之一。
7.如权利要求1所述的掩膜版的版图，其特征在于，包括所述主图形及辅助图形。
8.一种光刻系统，其特征在于，包括：
光源，适于发出曝光光线；
如权利要求1所述的掩膜版，适于接收所述曝光光线，输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；
投影光学系统，适于接收所述处理光线并对所述处理光线进行投影；
晶片，适于接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。
9.如权利要求8所述的光刻系统，其特征在于，所述晶片包括基底及覆盖所述基底表面的光刻胶层。
10.如权利要求8所述的光刻系统的光刻工艺方法，其特征在于，包括：
所述光源发出曝光光线；
所述掩膜版接收所述曝光光线，并输出携带所述主图形的图像信息的处理光线；
所述投影光学系统接收所述处理光线，并将所述处理光线投影至所述晶片表面上；
所述晶片接收所述投影光学系统投影的所述处理光线，形成与所述主图形对应的转移图形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010161896.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：节水人居生态系统
- 下一篇：一种高精密多阶智能无人机印制电路板制备方法
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
