[发明专利]LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件

权利要求书

1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有第一漂移区；

在所述衬底上形成绝缘介质层；

对所述绝缘介质层的预定区域进行刻蚀，去除所述衬底上的预定区域的绝缘介质层，使所述衬底和所述第一漂移区的预定区域暴露，所述绝缘介质层的一侧形成台阶型结构；

在所述衬底和所述第一漂移区的暴露区域上形成栅介质层，所述栅介质层和所述绝缘介质层的底面位于同一水平面；

在所述栅介质层的预定区域和所述绝缘介质层上形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行刻蚀，使所述第一漂移区的预定区域暴露，在所述衬底中形成阱区；

对所述多晶硅层进行刻蚀，形成栅极，在所述栅极的周侧形成侧墙，进行离子注入，在所述阱区中形成P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，在所述暴露的第一漂移区中形成第二N型重掺杂区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括LOCOS结构，所述绝缘介质层的另一侧形成有鸟嘴结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘介质层包括STI结构。

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底和所述第一漂移区的暴露区域上形成栅介质层，包括：

通过热氧化工艺对所述暴露区域的衬底进行氧化形成所述栅介质层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述绝缘介质层的预定区域进行刻蚀之后，所述通过热氧化工艺对所述暴露区域的衬底进行氧化形成所述栅介质层之前，还包括：

对所述衬底和所述第一漂移区的暴露区域进行漂移区离子注入，形成第二漂移区。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述阱区中形成P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，在所述暴露的第一漂移区中形成第二N型重掺杂区之后，还包括：

在所述衬底和所述栅极上形成隔离层；

在所述隔离层上形成层间介质层；

在所述层间介质层中形成通孔，所述通孔使所述P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述栅极的预定区域以及所述第二N型重掺杂区暴露；

在所述通孔中填充金属，形成接触通孔；

在所述接触通孔上形成引线。

7.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有第一漂移区和阱区，所述阱区中形成有P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，所述第一漂移区中形成有第二N型重掺杂区；

所述衬底上，所述第一N型重掺杂区和所述第二N型重掺杂区之间依次形成有栅介质层和绝缘介质层，所述绝缘介质层的一侧形成台阶型结构，所述栅介质层和所述绝缘介质层的底面位于同一水平面；

所述栅介质层和所述绝缘介质层上形成有栅极，所述栅极的周侧形成有侧墙。

8.根据权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述绝缘介质层包括LOCOS结构，所述绝缘介质层的另一侧形成有鸟嘴结构。

9.根据权利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于，所述绝缘介质层包括STI结构。

10.根据权利要求7至9任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述衬底中还形成有第二漂移区，所述第二漂移区与所述阱区和所述第一漂移区交叠。

11.根据权利要求7至9任一所述的LDMOS器件，其特征在于，所述栅极上还形成有隔离层。

12.根据权利要求11所述的LDMOS器件，其特征在于，所述隔离层从内到外依次包括硅氧化物层和硅氮化物层。

13.根据权利要求12所述的LDMOS器件，其特征在于，所述隔离层上还形成有层间介质层。

14.根据权利要求13所述的LDMOS器件，其特征在于，所述层间介质层中形成有多个接触通孔，每个接触通孔上形成有引线，所述多个接触通孔分别与P型重掺杂区、所述第一N型重掺杂区、所述栅极的预定区域以及所述第二N型重掺杂区连接。