[发明专利]存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器件，其中，包括：

衬底；

位于衬底第一表面上的电路结构，所述电路结构包括第一互连结构；

沿所述衬底第二表面向下延伸且到达所述第一表面的至少一个通孔；

位于所述通孔侧壁处的阻挡层；以及

位于所述通孔中的第二导电层，所述阻挡层将所述第二导电层与所述衬底隔离，

其中，第二导电层与所述第一互连结构接触以形成导电通道，所述导电通道用于将所述存储器件与外部电路结构电连接。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其中，所述阻挡层还位于所述衬底第二表面上方。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其中，还包括：

至少一个所述隔离槽，沿所述衬底第二表面并向下延伸到达所述衬底第一表面，所述隔离槽中填满所述阻挡层，相邻两个通孔之间至少设置一个所述隔离槽。

4.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第二导电层与所述衬底的第二表面平齐。

5.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述第二导电层还包括位于所述阻挡层上方的部分。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中，所述第一互连结构贯穿所述电路结构并延伸至所述通孔中。

7.根据权利要求6所述的存储器件，其中，所述第一互连结构包括：

第一导电层；以及

绝缘层，所述绝缘层位于所述第一导电层与所述衬底之间。

8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，所述第一导电层暴露于所述通孔中并与所述第二导电层接触以形成所述导电通道。

9.根据权利要求3所述的存储器件，其中，所述隔离槽的最大宽度小于所述通孔的最大宽度。

10.一种存储器件的制造方法，其中，包括：

在衬底第一表面上形成包括第一互连结构的电路结构；

沿所述衬底第二表面并向下延伸形成到达所述衬底第一表面的至少一个通孔；

在所述通孔侧壁处形成阻挡层；以及

在通孔中形成第二导电层，所述阻挡层将所述第二导电层与所述衬底隔离，

其中，第二导电层与所述第一互连结构接触以形成导电通道，所述导电通道用于将所述存储器件与外部电路结构电连接。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，还包括：

在所述衬底第二表面上方形成阻挡层。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，在沿所述第二表面并向下延伸形成到达所述第一表面的至少一个通孔的步骤中还包括：

沿所述衬底第二表面并向下延伸形成到达所述衬底第一表面的至少一个隔离槽，相邻两个通孔之间至少设置一个所述隔离槽。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，在所述衬底第二表面上方和所述通孔侧壁处形成阻挡层的步骤中还包括：

在所述隔离槽中填满所述阻挡层。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述通孔之前还包括：

将所述衬底翻转；

在所述衬底的第二表面形成牺牲层；以及

在所述牺牲层上形成光学掩膜，并按照所述光学掩膜在衬底中形成所述通孔。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成所述阻挡层之前还包括：

将所述光学掩膜和所述牺牲层去除。