[发明专利]一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，粗抛：应用双面研磨抛光机，在上抛光盘和下抛光盘上均粘贴聚氨酯抛光垫，将单晶金刚石晶片放入行星轮支架固定槽中，气压缸对上抛光盘施加压力，将工件压紧在上、下抛光盘间，工件在行星轮系的带动下进行自转和公转，上、下抛光盘以相同转速向相反的方向旋转，抛光时滴加抛光液A，抛光液A与抛光垫的理化作用下，将工件表面的余料去除，完成单晶金刚石晶片的双面粗抛；其中，抛光压力为180-250kPa，上、下抛光转速均为40-60r/min，抛光时间为40-70min；

步骤二，精抛：将粗抛时的聚氨酯抛光垫换成绒布抛光垫，继续对单晶金刚石晶片进行精抛，抛光时滴加抛光液B，抛光压力为70-90kPa，上、下抛光盘旋转方向相反，转速均为100-150r/min，抛光时间为20-40min；

步骤三，清洗：用丙酮或酒精将抛光好的单晶金刚石晶片进行超声清洗，并吹干。

2.根据权利要求1所述的一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法，其特征在于，所述步骤一中的抛光液A包括磨粒和液体，其中磨粒为氧化锆或碳化硼，粒径大小为10-100μm，含量为70-110g/L；液体包括基液、氧化剂和络合剂，基液为煤油、水基乳化液中的一种或两种混合，氧化剂为过硫酸钠、双氧水中的一种或两种混合，含量为30-80g/L，络合剂为熊果酸、草酸、柠檬酸种的一种或两种以上混合，含量为60-120g/L。

3.根据权利要求1或2所述的一种单晶金刚石晶片的双面化学机械抛光方法，其特征在于，所述步骤二中的抛光液B包括磨粒和液体，其中磨粒为金刚石或碳化硼，粒径大小为0.5-5μm，含量为60-90g/L；液体包括基液、氧化剂和络合剂，其中，基液为去离子水，氧化剂为次氯酸、碘酒中的一种或两种混合，含量为25-50g/L，络合剂为偏磷酸、单宁酸、乳酸种的一种或两种以上混合，含量为40-90g/L。