[发明专利]存储器件

说明书

实施方式提供一种能够抑制耗电增大的存储器件。实施方式的存储器件具备：第1存储单元，设置在第1配线与第2配线之间；第2存储单元，设置在所述第2配线与第3配线之间；第3存储单元，设置在第4配线与第5配线之间；第4存储单元，设置在所述第5配线与第6配线之间；第1均衡电路，连接于所述第1、所述第3、所述第4及所述第6配线；及控制电路，控制对于所述第1至第4存储单元的动作。所述控制电路当执行所述动作时，选择所述第1存储单元及所述第4存储单元，对所述第1配线施加第1电压，对所述第2配线施加比所述第1电压高的第2电压，对所述第5配线施加比所述第2电压低的第3电压，对所述第6配线施加比所述第3电压高的第4电压。所述第1均衡电路在所述动作后将所述第1配线电连接到所述第6配线。

[相关申请案]

本申请案享受以日本专利申请案2019-171651号(申请案：2019年9月20日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案包含基础申请案的所有内容。

技术领域

实施方式一般而言涉及一种存储器件。

背景技术

近年来，正不断推进新存储器件的研究及开发。

发明内容

实施方式提供一种能够抑制耗电增大的存储器件。

实施方式的存储器件具备：第1存储单元，设置在第1配线与第2配线之间；第2存储单元，设置在所述第2配线与第3配线之间；第3存储单元，设置在第4配线与第5配线之间；第4存储单元，设置在所述第5配线与第6配线之间；第1均衡电路，连接于所述第1、所述第3、所述第4及所述第6配线；及控制电路，控制对于所述第1至第4存储单元的动作。所述控制电路当执行所述动作时，选择所述第1存储单元及所述第4存储单元，对所述第1配线施加第1电压，对所述第2配线施加比所述第1电压高的第2电压，对所述第5配线施加比所述第2电压低的第3电压，对所述第6配线施加比所述第3电压高的第4电压。所述第1均衡电路在所述动作后，将所述第1配线电连接到所述第6配线。

附图说明

图1是表示第1实施方式的存储器件的构成例的图。

图2是表示第1实施方式的存储器件的存储单元阵列的构成例的图。

图3是表示第1实施方式的存储器件的构成例的图。

图4及图5是表示第1实施方式的存储器件的存储单元阵列的构造例的图。

图6是表示第1实施方式的存储器件的构成例的图。

图7是表示第1实施方式的存储器件的动作例的时序图。

图8是用来对第1实施方式的存储器件的动作例进行说明的图。

图9是表示第1实施方式的存储器件的动作例的时序图。

图10是用来对第1实施方式的存储器件的动作例进行说明的图。

图11是表示第1实施方式的存储器件的动作例的时序图。

图12是用来对第1实施方式的存储器件的动作例进行说明的图。

图13是表示第2实施方式的存储器件的构成例的图。

图14是用来对第2实施方式的存储器件进行说明的图。

图15是用来对第3实施方式的存储器件进行说明的图。

图16是用来对第4实施方式的存储器件进行说明的图。

图17是用来对实施方式的存储器件的变化例进行说明的图。

具体实施方式

参照图1至图17，对实施方式的存储器件及存储器件的控制方法进行说明。