[发明专利]存储器件

权利要求书

1.一种存储器件，具备：

第1存储单元，设置在第1配线与第2配线之间；

第2存储单元，设置在所述第2配线与第3配线之间；

第3存储单元，设置在第4配线与第5配线之间；

第4存储单元，设置在所述第5配线与第6配线之间；

第1均衡电路，连接于所述第1、所述第3、所述第4及所述第6配线；及

控制电路，控制对于所述第1至第4存储单元的动作；

所述控制电路当执行所述动作时，

选择所述第1存储单元及所述第4存储单元，

对所述第1配线施加第1电压，

对所述第2配线施加比所述第1电压高的第2电压，

对所述第5配线施加比所述第2电压低的第3电压，

对所述第6配线施加比所述第3电压高的第4电压，

所述第1均衡电路在所述动作后，将所述第1配线电连接到所述第6配线。

2.根据权利要求1所述的存储器件，其中电连接的所述第1及第6配线的电位设定为所述第1电压与所述第4电压之间的第5电压。

3.根据权利要求1所述的存储器件，其还具有连接于所述第2配线及所述第5配线的第2均衡电路，

所述第2均衡电路在所述动作后将所述第2配线电连接到所述第5配线。

4.根据权利要求3所述的存储器件，其中电连接的所述第2及第5配线的电位设定为所述第2电压与所述第3电压之间的第6电压。

5.根据权利要求1所述的存储器件，其中在执行所述动作时，第1电流从所述第2配线朝向所述第1配线在所述第1存储单元内流通，第2电流从所述第6配线朝向所述第5配线在所述第4存储单元内流通。

6.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第1及所述第4配线设置在衬底的上方，

所述第3配线设置在所述第1配线与所述衬底之间，

所述第2配线设置在所述第1配线与所述第3配线之间，

所述第6配线设置在所述第4配线与所述衬底之间，

所述第5配线设置在所述第4配线与所述第6配线之间。

7.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第1均衡电路包含：

1个以上第1晶体管，连接于所述第1配线与所述第6配线之间；及

1个以上第2晶体管，连接于所述第3配线与所述第4配线之间。

8.根据权利要求1所述的存储器件，其中所述第1、所述第2、所述第3及所述第4存储单元分别包含第1、第2、第3及第4磁阻效应元件，

所述第1至第4磁阻效应元件各自包含以第1顺序排列的参照层及存储层。

9.根据权利要求8所述的存储器件，其中所述第1、所述第2、所述第3及所述第4存储单元分别包含第1、第2、第3及第4切换元件，

所述第1切换元件设置在所述第1磁阻效应元件与所述第2配线之间，

所述第2切换元件设置在所述第2磁阻效应元件与所述第3配线之间，

所述第3切换元件设置在所述第3磁阻效应元件与所述第5配线之间，

所述第4切换元件设置在所述第4磁阻效应元件与所述第6配线之间。