[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供包括与第二源极/漏极区域相邻的第一源极/漏极区域的器件；

在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间以及所述第二源极/漏极区域的暴露的第一部分上方沉积掩模层；

在沉积所述掩模层之后，蚀刻层间介电(ILD)层的设置在所述掩模层的任一侧上的第一部分，而基本不蚀刻所述掩模层，以暴露所述第二源极/漏极区域的第二部分并且暴露所述第一源极/漏极区域；

在蚀刻所述层间介电层的所述第一部分之后，蚀刻所述掩模层以形成L形掩模层；以及

在形成所述L形掩模层之后，在暴露的第一源极/漏极区域上方形成第一金属层，并且在所述第二源极/漏极区域的暴露的第二部分上方形成第二金属层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述L形掩模层在所述第一金属层和所述第二金属层之间以及所述第一金属层和所述第二源极/漏极区域之间提供电隔离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，提供所述器件还包括提供包括设置在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域上方的所述层间介电层的器件。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在提供包括所述层间介电层的所述器件之后并且在沉积所述掩模层之前，蚀刻所述层间介电层的第二部分以形成开口，所述开口暴露介于所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的浅沟槽隔离(STI)区域以及所述第二源极/漏极区域的所述第一部分；以及

在所述开口内的暴露的浅沟槽隔离区域上方以及所述第二源极/漏极区域的暴露的第一部分上方沉积所述掩模层。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在蚀刻所述层间介电层的设置在所述掩模层的任一侧上的第一部分之后，并且在蚀刻所述掩模层以形成所述L形掩模层之前，在所述第二源极/漏极区域的所述暴露的第二部分上方和所述暴露的第一源极/漏极区域上方形成伪层。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在形成所述L形掩模层之后并且在形成所述第一金属层和所述第二金属层之前，去除所述伪层以暴露所述第二源极/漏极区域的所述第二部分并且暴露所述第一源极/漏极区域。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述L形掩模层之后并且在形成所述第一金属层和所述第二金属层之前，沿着所述L形掩模层的侧壁形成衬垫层。

8.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在提供包括所述层间介电层的所述器件之后并且在沉积所述掩模层之前，蚀刻所述层间介电层的第二部分以形成暴露所述第二源极/漏极区域的所述第一部分的开口，其中，所述层间介电层的至少一些所述第二部分保留为沿着所述开口的底面；以及

在所述开口内的保留为沿着所述开口的底面的所述层间介电层的至少一些所述第二部分上方以及所述第二源极/漏极区域的所述暴露的第一部分上方沉积掩模层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述L形掩模层包括多层隔离结构。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，在蚀刻所述层间介电层的设置在所述掩模层的任一侧上的所述第一部分之后，所述层间介电层的一些所述第一部分保留为设置在所述掩模层的侧壁上。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述L形掩模层的底部包括限定第一平面的顶面，并且其中，所述第一平面设置在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域的顶面之上。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掩模层包括介电层。