[发明专利]一种防水防霉电路板及其制备方法

权利要求书

1.一种防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：将氧化物纳米粒子与无水乙醇以及去离子水混合，制备纳米氧化物粒子溶液；

S2：在所述纳米氧化物粒子溶液中加入硅烷偶联剂，于40℃～50℃条件下混合搅拌，得到改性的纳米氧化物粒子溶液；

S3：将所述改性的纳米氧化物粒子溶液与聚合物乳液混合，搅拌，得到超疏水乳液；

S4：将电路板放入所述超疏水乳液中，进行超声浸涂，然后对所述电路板进行干燥，得到防水防霉电路板。

2.如权利要求1所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，所述氧化物纳米粒子选自纳米TiO_2、纳米Al₂O₃、纳米SiO₂、纳米ZnO中的至少一种。

3.如权利要求1所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，所述氧化物纳米粒子的粒径包括70nm～100nm和10nm～40nm，粒径为70nm～100nm的所述氧化物纳米粒子和粒径为10nm～40nm的所述氧化物纳米粒子的质量比范围为(0.8～1.2):1。

4.如权利要求1所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述氧化物纳米粒子的加入量范围为3g～5g，所述无水乙醇的加入量范围为30ml～50ml；所述去离子水的加入量范围为0.2ml～0.8ml。

5.如权利要求1所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂选自全氟辛基三甲氧基硅烷、γ-氨丙基三乙氧基硅烷剂中的一个。

6.如权利要求5所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，所述硅烷偶联剂的加入量为所述氧化物纳米粒子加入量的5％～20％；步骤S2中所述搅拌时间范围为2h～8h。

7.如权利要求1所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，所述聚合物乳液选自聚氨酯乳液、聚丙烯酸酯乳液、硅溶胶乳液中的至少一种；步骤S3中所述聚合物乳液与所述纳米氧化物粒子的质量比范围为(10～100)：1。

8.如权利要求1～7任一项所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，所述超声浸涂的次数为两次。

9.如权利要求8所述的防水防霉电路板的制备方法，其特征在于，对所述电路板进行干燥包括，于40℃～80℃条件下，真空干燥1h～4h。

10.一种防水防霉电路板，其特征在于，由权利要求1～9任一项所述的防水防霉电路板的制备方法制备。