[发明专利]一种类金刚石保护性涂层及其制备方法

权利要求书

1.一种类金刚石保护性涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用空心阴极放电等离子体化学气相沉积技术在基体表面依次沉积硅掺杂类金刚石底层和类金刚石层。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空心阴极放电等离子体化学气相沉积硅掺杂类金刚石底层的反应原料为乙炔和硅烷，所述乙炔的流量为200mL/min，硅烷的流量为15～20mL/min。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述空心阴极放电等离子体化学气相沉积硅掺杂类金刚石底层的条件包括：电压为800～1200V，脉冲频率为20kHz，基体偏压为-100～-300V，沉积的时间为5～15min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空心阴极放电等离子体化学气相沉积所述类金刚石层的反应气体为乙炔，稀释气体为氩气，所述氩气和乙炔的流量比为1：2～4。

5.根据权利要求1或4所述的制备方法，其特征在于，所述空心阴极放电等离子体化学气相沉积所述类金刚石层的条件包括：气压为1.0～2.5Pa，脉冲偏压为3000V，脉冲频率为1200Hz，脉宽为20μm，沉积的时间为0.5～4h。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，沉积所述类金刚石层时，基体的温度为100～400℃。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基体为深孔类零件。

8.采用权利要求1～7任一项所述制备方法制备得到的类金刚石保护性涂层，包括硅掺杂类金刚石底层和沉积在所述硅掺杂类金刚石底层表面的类金刚石层。

9.根据权利要求8所述的类金刚石保护性涂层，其特征在于，所述类金刚石保护性涂层的拉曼光谱的I_D/I_G值在2.5以上。

10.根据权利要求8或9所述的类金刚石保护性涂层，其特征在于，所述硅掺杂类金刚石底层的厚度为0.1～0.5μm；所述类金刚石层的厚度为20～30μm。