[发明专利]一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法

权利要求书

1.一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器，由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成，其特征在于：阳极层为铟锡氧化物ITO，银纳米颗粒层和铝阴极层构成金属复合电极层，有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结，其中在肖特基结的界面插入厚度为2±0.01纳米的BCP作为界面插入层，BCP为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉。

2.根据权利要求1所述的一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器，其特征在于：有机半导体层为厚度50纳米 ±0.5纳米的8-羟基喹啉铝Alq3，银纳米颗粒层为厚度5±0.03纳米的银Ag纳米颗粒，阴极层为厚度10±0.05纳米的半透明Al金属薄膜。

3.制作含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器的方法，其特征在于按照如下的步骤进行：

步骤一、将氧化铟锡导电玻璃进行搓洗，并用去离子水、无水乙醇、丙酮、异丙醇分别在超声条件下清洗，然后装入蒸镀炉，当压强降到0.0005帕以下时开始蒸镀;

步骤二、氧化铟锡导电玻璃在旋转条件下，以 0.2 纳米/秒的速率蒸镀 50±0.5纳米厚的有机半导体Alq3层，然后以 0.1 纳米/秒的速率蒸镀 2±0.01纳米的BCP插入层，接着以 0.02 纳米/秒的低速率蒸镀 5±0.03纳米的银纳米颗粒，最后以0.4纳米/秒的速率蒸镀10±0.05纳米厚的Al阴极，BCP为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉。

4.根据权利要求3所述的制作一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器的方法，其特征在于：步骤二中，在有机半导体层成膜后需沉积一层超薄的BCP插入层，然后再用低速率蒸镀Ag以形成纳米颗粒，随后，蒸镀Al电极。