[发明专利]一种Micro-LED的固晶方法在审
| 申请号： | 202010143743.X | 申请日： | 2020-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN111628063A | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李漫铁;谢玲;余亮;屠孟龙 | 申请（专利权）人： | 深圳雷曼光电科技股份有限公司;惠州雷曼光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H05K3/34 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;潘登 |
| 地址： | 518108 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 micro led 方法 | ||
1.一种Micro-LED的固晶方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，得到预处理PCB板；
(3)将倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)所述镀锡层的厚度为5～30μm。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(2)所述添加保护层的方法包括贴保护膜或OSP工艺中的任意一种。
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述助焊剂包括酮类、醇类或酯类的有机免洗助焊剂中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，所述助焊剂层的厚度为1～5μm。
6.根据权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述倒装Micro-LED芯片为带锡的倒装Micro-LED芯片。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其特征在于，所述回流固晶前调整回流焊曲线。
8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，所述回流固晶的方法为先抽真空，再充入氮气修正负压，所述氮气浓度大于99.99％。
9.根据权利要求1-8任一项所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)在PCB固晶位置镀锡，得到镀锡层，所述镀锡层的厚度为5～30μm；
(2)在步骤(1)得到的镀锡层上依次添加保护层以及助焊剂层，所述助焊剂层的厚度为1～5μm，所述添加保护层的方法包括贴保护膜或OSP工艺中的任意一种，得到预处理PCB板；
(3)将带锡的倒装Micro-LED芯片转移至步骤(2)得到的所述预处理PCB板上，调整回流焊曲线，回流固晶，完成Micro-LED的固晶。
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