[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法和贮存装置

说明书

公开了一种非易失性存储器及其操作方法和一种贮存装置。一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括按照行和列布置的存储器单元；行解码器电路，其通过字线连接到存储器单元的行并控制字线的电压；以及页缓冲器电路，其通过位线连接到存储器单元的列，并且包括被配置为感测位线的电压的第一晶体管以及被配置为反相并感测位线的电压的第二晶体管。页缓冲器电路被配置为通过经由第一晶体管对位线中的第一位线执行第一感测操作来获得第一值，并且通过经由第二晶体管对位线中的第二位线执行第二感测操作来获得第二值，其中，第一值或第二值被反相。

技术领域

本文所公开的发明构思的示例实施例涉及包括非易失性存储器装置的半导体电路、非易失性存储器装置的操作方法和/或包括非易失性存储器装置的贮存装置。

背景技术

贮存装置可被配置为在诸如计算机、智能电话和智能平板的主机装置的控制下存储数据。作为示例，贮存装置可将数据存储在诸如硬盘驱动器(HDD)的磁盘或半导体存储器上，特别是存储在诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的非易失性存储器上。

非易失性存储器的一些示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。

一些非易失性存储器装置可被配置为将数据存储在存储器单元中。存在各种方式来根据非易失性存储器装置的操作特性和访问和/或管理非易失性存储器装置的请求读取非易失性存储器装置的存储器单元。然而，仍然存在引入新的读取存储器单元的方式的空间，其可呈现非易失性存储器装置的提高的速度和/或可靠性。

发明内容

一些发明构思的一些示例实施例包括一种能够提高确定存储在非易失性存储器装置的存储器单元中的数据的状态的速度的存储器装置、该非易失性存储器装置的操作方法和/或包括该非易失性存储器装置的贮存装置。

根据一些示例实施例，一种非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括按照行和列布置的存储器单元；以及处理电路，其通过字线连接到存储器单元的行并通过位线连接到存储器单元的列，其中，处理电路被配置为控制字线的电压，感测位线的电压，反相并感测位线的电压，通过对位线中的第一位线执行第一感测操作来获得第一值，通过对位线中的第二位线执行第二感测操作来获得第二值，并使第一值或第二值中的一者反相。

根据一些示例实施例，一种贮存装置可包括：非易失性存储器装置，其包括连接到第一位线的第一存储器单元、连接到第二位线的第二存储器单元；以及控制器电路，其被配置为控制非易失性存储器装置：响应于请求，执行读取第一存储器单元的第一感测操作；在第一感测操作之后执行读取第一存储器单元和第二存储器单元的第二感测操作；并且在第二感测操作之后执行读取第二存储器单元的第三感测操作。

根据一些示例实施例，一种非易失性存储器装置的操作方法，该非易失性存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、连接到第一存储器单元的第一位线和连接到第二存储器单元的第二位线，其中，该操作方法可包括：将预充电电压施加到第一位线和第二位线；对第一位线执行第一感测操作以获得第一值；对第二位线执行第二感测操作以获得第二值；以及将第一值和第二值中的一者反相。

附图说明

通过参照附图详细描述其一些示例实施例，一些发明构思的以上和其它目的和特征将变得显而易见。

图1是示出根据一些发明构思的一些示例实施例的非易失性存储器装置的框图。

图2是示出图1的存储器块中的一个存储器块的示例的电路图。

图3示出存储器单元阵列的所选存储器块中的所选存储器单元和页缓冲器电路。

图4是示出根据一些发明构思的一些示例实施例的非易失性存储器装置的操作方法的流程图。