[发明专利]一种金属液态化模式的半导体封装工艺

说明书

本发明涉及一种金属液态化模式的半导体封装工艺采用晶圆作为芯片的材料，在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，这是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走，这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的等特点。

技术领域

本发明涉及半导体封装工艺技术领域，具体为一种金属液态化模式的半导体封装工艺。

背景技术

熔化极气体保护焊是指利用焊丝与工件间产生的电弧作热源将金属熔化的焊接方法。焊接过程中，电弧熔化焊丝和母材形成的熔池及焊接区域在惰性气体或活性气体的保护下，可以有效地阻止周围环境空气的有害作用。

现有技术生产的成本高,对制造的方法高，本发明可以解决现有技术中的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种金属液态化模式的半导体封装工艺，解决现有的技术问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种金属液态化模式的半导体封装工艺，包括以下方法；

S1：芯片的原料；

S2：搀加杂质将晶圆中植入离子；

S3：晶圆测试；

S4：封装；

S5：一般测试和特殊测试。

优选的，所述S1晶圆，晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)，接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆，晶圆越薄，成产的成本越低,但对工艺就要求的越高，晶圆涂膜晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。

优选的，所述S2生成相应的P、N类半导体，具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中，这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据，简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来，这一点类似所层PCB板的制作原理，更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及.上面流程来实现，形成一个立体的结构。

优选的，所述S3晶圆上就形成了一个个格状的晶粒，通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。

优选的，所述S4将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。

优选的，所述S5前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明采用晶圆作为芯片的材料，在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解，这是可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走，这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的说明，对本发明实施例中的技术方案进行清 楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是 全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造 性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供一种技术方案：

一种金属液态化模式的半导体封装工艺，包括以下方法；

S1：芯片的原料；

S2：搀加杂质将晶圆中植入离子；

S3：晶圆测试；

S4：封装；

S5：一般测试和特殊测试。