[发明专利]一种金属液态化模式的半导体封装工艺

权利要求书

1.一种金属液态化模式的半导体封装工艺，其特征在于：包括以下方法；

S1：芯片的原料；

S2：搀加杂质将晶圆中植入离子；

S3：晶圆测试；

S4：封装；

S5：一般测试和特殊测试。

2.根据权利要求1所述的一种金属液态化模式的半导体封装工艺，其特征在于：所述S1晶圆，晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%)，接着是将些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体需要的晶圆，晶圆越薄，成产的成本越低,但对工艺就要求的越高，晶圆涂膜晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。

3.根据权利要求1所述的一种金属液态化模式的半导体封装工艺，其特征在于：所述S2生成相应的P、N类半导体，具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中，这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据，简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将这一流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来，这一点类似所层PCB板的制作原理，更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。

4.根据权利要求1所述的一种金属液态化模式的半导体封装工艺，其特征在于：所述S3晶圆上就形成了一个个格状的晶粒，通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。

5.根据权利要求1所述的一种金属液态化模式的半导体封装工艺，其特征在于：所述S4将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。

6.根据权利要求1所述的一种金属液态化模式的半导体封装工艺，其特征在于：所述S5前者是将封装后的芯片置于各种环境下测试其电气特性，如消耗功率、运行速度、耐压度等，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。