[发明专利]电容器及其形成方法、DRAM存储器及其形成方法

说明书

本发明涉及一种电容器及其形成方法，以及一种DRAM存储器及其形成方法，所述电容器的形成方法包括：提供衬底，所述衬底内形成有电接触部；在所述衬底表面形成交替层叠的支撑层和牺牲层，且最顶层为支撑层；形成贯穿所述支撑层和牺牲层，且暴露出所述电接触部的电容孔；形成覆盖所述电容孔内表面的下电极层，所述下电极层连接所述电接触部；形成覆盖所述下电极层表面的保护层；去除所述牺牲层，在去除所述牺牲层的过程中，所述下电极层受到所述保护层的保护；去除所述保护层；在所述下电极层的内外表面以及支撑层表面依次形成电容介质层和上电极层。

技术领域

本发明涉及存储技术领域，尤其涉及一种电容器及其形成方法、DRAM存储器及其形成方法。

背景技术

动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称：DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管。

随着半导体技术的不断发展，对半导体集成电路中电容器的性能要求也越来越高，例如，希望在有限的面积内形成更多的电容，提高电容器的集成度。电容器的集成度提高，能够提高动态存储器的集成度。

现有技术中，为了提高电容器的集成度，通常将电容器设计成竖直形状，通过提高电容器的高度，来提高单位面积内的电容值。

请参考图1a至图1c，为现有技术中，形成电容器的形成过程的示意图。

请参考图1a，提供基底100，所述基底100内形成有电接触部101；在所述基底100上依次形成第一支撑层111、第一牺牲层121、第二支撑层112、第二牺牲层122以及第三支撑层113；刻蚀出位于电接触部101表面的电容孔120。

请参考图1b，在所述电容孔内壁形成下电极层130。

请参考图1c，刻蚀第三支撑层113和第二支撑层形成刻蚀窗口，去除所述第二牺牲层122和第一牺牲层121；然后，再在下电极层130的表面依次沉积电容介质层和上电极层(图中未示出)。

上述方法形成的电容器的性能有待进一步的提高。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种电容器及其形成方法、一种 DRAM存储器及其形成方法，提高电容器的性能。

为了解决上述问题，本发明提供了一种提供衬底，所述衬底内形成有电接触部；在所述衬底表面形成交替层叠的支撑层和牺牲层，且最顶层为支撑层；形成贯穿所述支撑层和牺牲层，且暴露出所述电接触部的电容孔；形成覆盖所述电容孔内表面的下电极层，所述下电极层连接所述电接触部；形成覆盖所述下电极层表面的保护层；去除所述牺牲层，在去除所述牺牲层的过程中，所述下电极层受到所述保护层的保护；去除所述保护层；在所述下电极层的内外表面以及支撑层表面依次形成电容介质层和上电极层。

可选的，采用原子层沉积工艺形成所述保护层。

可选的，所述保护层的材料与所述牺牲层的材料相同。

可选的，所述保护层的材料为氧化硅。

可选的，所述保护层的厚度为8nm～12nm。

可选的，去除所述牺牲层的方法包括：在顶层的支撑层表面形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行图形化，形成图形化硬掩膜层；以所述图形化硬掩膜层为掩膜，刻蚀位于顶层的支撑层，形成暴露出最上层的牺牲层的刻蚀窗口；采用湿法刻蚀工艺，沿所述刻蚀窗口去除所述最上层的牺牲层；依次刻蚀下层的支撑层以及去除下层的牺牲层，直至将所有牺牲层去除。

可选的，在去除所述最上层的牺牲层的同时，将所述保护层去除。

可选的，所述湿法刻蚀工艺对所述保护层的刻蚀速率小于对所述牺牲层的刻蚀速率。