[发明专利]电容器及其形成方法、DRAM存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种电容器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底内形成有电接触部；

在所述衬底表面形成交替层叠的支撑层和牺牲层，且最顶层为支撑层；

形成贯穿所述支撑层和牺牲层，且暴露出所述电接触部的电容孔；

形成覆盖所述电容孔内表面的下电极层，所述下电极层连接所述电接触部；

形成覆盖所述下电极层表面的保护层；

去除所述牺牲层，在去除所述牺牲层的过程中，所述下电极层受到所述保护层的保护；

去除所述保护层；

在所述下电极层的内外表面以及支撑层表面依次形成电容介质层和上电极层。

2.根据权利要求1所述电容器的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述保护层。

3.根据权利要求2所述电容器的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料与所述牺牲层的材料相同。

4.根据权利要求3所述电容器的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氧化硅。

5.根据权利要求1所述电容器的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为8nm～12nm。

6.根据权利要求1所述电容器的形成方法，其特征在于，去除所述牺牲层的方法包括：在顶层的支撑层表面形成硬掩膜层；对所述硬掩膜层进行图形化，形成图形化硬掩膜层；以所述图形化硬掩膜层为掩膜，刻蚀位于顶层的支撑层，形成暴露出最上层的牺牲层的刻蚀窗口；采用湿法刻蚀工艺，沿所述刻蚀窗口去除所述最上层的牺牲层；依次刻蚀下层的支撑层以及去除下层的牺牲层，直至将所有牺牲层去除。

7.根据权利要求6所述电容器的形成方法，其特征在于，在去除所述最上层的牺牲层的同时，将所述保护层去除。

8.根据权利要求7所述电容器的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺对所述保护层的刻蚀速率小于对所述牺牲层的刻蚀速率。

9.根据权利要求6所述电容器的形成方法，其特征在于，所述保护层与所述牺牲层采用不同的材料；将所有牺牲层去除后，再去除所述保护层。

10.根据权利要求6所述电容器的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺对所述硬掩膜层进行图形化；采用干法刻蚀工艺刻蚀所述支撑层，形成暴露牺牲层的刻蚀窗口。

11.根据权利要求6所述电容器的形成方法，其特征在于，采用离心式的湿法清洗工艺去除所述牺牲层。

12.根据权利要求11所述电容器的形成方法，其特征在于，所述湿法清洗工艺采用的溶液为HF溶液。

13.根据权利要求1所述电容器的形成方法，其特征在于，形成两层以上的支撑层。

14.一种电容器，其特征在于，采用权利要求1至13中任一项所述的形成方法所形成。

15.一种DRAM存储器的形成方法，其特征在于，包括：采用权利要求1至13中任一项所述的方法，形成若干阵列分布的电容器。

16.一种DRAM存储器，其特征在于，包括若干阵列分布的如权利要求14所述的电容器。