[发明专利]半导体封装件和半导体装置

说明书

提供了半导体封装件和半导体装置。所述半导体封装件包括：半导体芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于外部。由于半导体封装件可以包括PDMS层，所以半导体封装件在真空状态下的散热性能可以改善。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年6月17日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0071776的权益，其公开内容通过引用全部合并于此。

技术领域

本发明构思涉及半导体封装件和半导体装置，并且更具体地，涉及在真空状态下具有高的热辐射性能的半导体封装件和半导体装置。

背景技术

期望半导体芯片的存储容量高以及包括该半导体芯片的半导体装置薄且轻。由于半导体芯片产生大量的热，所以向半导体装置的外部散发热的性能对于确保半导体装置的操作稳定性和产品可靠性至关重要。

另外，近来，半导体装置被广泛地用于在真空状态下操作的装置，诸如航天器、空间站和卫星。因此，半导体装置在真空状态下的改善的散热性能是所期望的。

发明内容

本发明构思提供了在真空状态下具有高的散热性能的半导体封装件和半导体装置。

本发明构思提供了具有高的电绝缘性和耐久性的半导体封装件和半导体装置。

根据本发明构思的一方面，本公开涉及半导体封装件，其包括：半导体芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上，其中，所述PDMS层的上表面暴露于所述半导体封装件的外部。

根据本发明构思的一方面，本公开涉及半导体封装件，其包括：半导体芯片；散热器，所述散热器位于所述半导体芯片上；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述散热器上，其中，所述PDMS层的上表面暴露于所述半导体封装件的外部。

根据本发明构思的一方面，本公开涉及半导体装置，其包括：基板；半导体芯片，所述半导体芯片安装在所述基板上；控制器，所述控制器安装在所述基板上，并且被配置为控制所述半导体芯片；壳体，所述壳体被配置为包围所述半导体芯片和所述控制器；和内部聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述内部聚二甲基硅氧烷层位于所述壳体的内壁上。

根据本发明构思的半导体封装件和半导体装置包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，并且在真空状态下可以具有高的散热性能。

另外，根据本发明构思的半导体封装件和半导体装置包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，并且可以具有高的电绝缘性和耐久性。

附图说明

通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实施例，在附图中：

图1是根据比较例的半导体封装件的截面图；

图2至图14是根据本发明构思的示例实施例的半导体封装件的截面图；

图15是示出根据本发明构思的示例实施例的形成聚二甲基硅氧烷(PDMS)层的方法的截面图；

图16是示出根据旋转卡盘的旋转板的每分钟转数(RPM)而形成的PDMS层的厚度的曲线图；

图17至图21是示出根据本发明构思的示例实施例的形成PDMS层的方法的视图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述本发明构思的实施例。在附图中，相同的附图标记始终表示相同的元件。

图1是根据比较例的半导体封装件100的截面图。半导体封装件100可以包括半导体芯片10和散热器11。