[发明专利]半导体封装件和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

半导体芯片；和

聚二甲基硅氧烷层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于所述半导体封装件的外部。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层具有1微米至300微米的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体封装件，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的侧表面与所述半导体芯片的侧表面自对准，并且

其中，所述聚二甲基硅氧烷层具有1微米至200微米的厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

底漆，所述底漆位于所述半导体芯片上；和

粘合剂，所述粘合剂位于所述底漆上，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述底漆上，并且

其中，所述粘合剂掩埋在所述聚二甲基硅氧烷层中。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层具有凹凸结构。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

模塑材料，所述模塑材料围绕所述半导体芯片的侧表面；

再分布层，所述再分布层形成在所述半导体芯片的下表面上；和

外部连接端子，所述外部连接端子电连接到所述再分布层，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的下表面的面积大于所述半导体芯片的上表面的面积。

7.一种半导体封装件，包括：

半导体芯片；

散热器，所述散热器位于所述半导体芯片上；和

聚二甲基硅氧烷层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述散热器上，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于所述半导体封装件的外部。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层形成为1微米至300微米的厚度。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，

其中，与所述半导体芯片的侧表面相比，所述散热器的侧表面设置在内侧，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的侧表面与所述散热器的侧表面自对准，并且

其中，所述聚二甲基硅氧烷层形成为1微米至200微米的厚度。

10.根据权利要求7所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

底漆，所述底漆位于所述散热器上；和

粘合剂，所述粘合剂位于所述底漆上，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述底漆上，并且

其中，所述粘合剂包括热固性硅粘合剂，并且被掩埋在所述聚二甲基硅氧烷层中。

11.根据权利要求7所述的半导体封装件，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面的表面积大于所述聚二甲基硅氧烷层的下表面的表面积。

12.根据权利要求7所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

模塑材料，所述模塑材料围绕所述半导体芯片的侧表面；

再分布层，所述再分布层形成在所述半导体芯片的下表面上；和

外部连接端子，所述外部连接端子电连接到所述再分布层，

其中，所述聚二甲基硅氧烷层的下表面的面积大于所述半导体芯片的上表面的面积，并且等于所述散热器的上表面的面积。