[发明专利]一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器

说明书

本发明公开了一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，其特征在于，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。本发明的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器是三维结构。该滤波器将两个完全相同的平面RDL结构的发夹滤波器通过TSV信号传输，实现耦合的增强，从而得到更好的滤波性能。

技术领域

本发明属于滤波器技术领域，具体涉及一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器。

技术背景

二十一世纪的科技飞速发展，比较突出的有无线传输中的微波领域技术。300MHz到300GHz频段的微波在军事、航空等领域普遍运用。在通信系统和射频电路中，微波滤波器得到广泛应用，其设计和性能起到至关重要的作用。微波滤波器是一个经典的选频器件，其体积小、制作简单、容易设计。随着科学技术的发展，基于无线通信的无线产品越来越普及。相应的频谱资源越发紧张。尤其是日常生活使用的频段越来越拥挤，需要更高性能要求的微波滤波器。因此滤波器的小型化称为研究热点之一。

进行滤波器小型化的设计，传统方法是利用高介电常数、交叉耦合结构、交指结构、多层板技术和Koch分形结构等方法。但是平面路中集成度已经达到饱和，无法通过缩小器件尺寸去满足摩尔定律的发展。

发明内容

本发明的目的是提供一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，实现了发夹滤波器的耦合增强，解决了传统发夹滤波器平面结构滤波性能较差的问题。

本发明所采用的技术方案是，采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，采用上下两层RDL制作滤波器耦合结构，上下两层RDL中间层采用TSV信号传输，实现耦合的增强。两层RDL结构完全相同，由四个谐振腔和输入、输出抽头馈线组成。上下两层，每一对相应的谐振腔中间利用九个TSV连接。

一种采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器，包括RDL制作滤波器耦合结构，相邻两层滤波器耦合结构之间采用TSV进行信号传输。

每层所述RDL制作滤波器耦合结构包括四个谐振腔，每个谐振腔均与相邻RDL制作滤波器耦合结构的谐振腔一一对应。

每个谐振腔包括三条线，谐振腔上U型构造表示电路中的一个电感和一个电容的串联实现，下U型构造表示电路中一个电感和一个电容的并联实现。

每条线上设置有若干个硅通孔，每条线分别通过硅通孔与对应的谐振腔的三条线相连通。

RDL制作滤波器耦合结构的一端设置有输入抽头馈线，另一端设置有输出抽头馈线。

输入抽头馈线和输出抽头馈线均与谐振腔靠外侧的一条线相连接。

与现有技术相比，本发明的有益效果为：

传统发夹滤波器是平面结构。本发明的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器是三维结构。该滤波器将两个完全相同的平面RDL结构的发夹滤波器通过TSV信号传输。实现了耦合的增强，从而得到更好的滤波性能。

附图说明

图1是本发明的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器的俯视图。

图2是本发明的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器的主视图。

图3是本发明的采用TSV技术的增强耦合型三维发夹滤波器左视图。