[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括；

基板；

金属层，其中包括间隔设置的源极和漏极、遮光层，其中，所述金属层设有第一源极、第一漏极、第一遮光层、第二源极、第二漏极、第二遮光层、第三源极、第三漏极、第三遮光层；

缓冲层，设于所述金属层和所述基板上，且所述缓冲层包覆所述遮光层，所述缓冲层包括第三缓冲层；

半导体层，设置于所述缓冲层上且延伸并连接所述源极和漏极，所述半导体层包括第三半导体；

栅极绝缘层，设置于所述半导体层、所述金属层和所述缓冲层上；以及

栅极层，设置于所述栅极绝缘层上，其中，所述栅极层包括第二栅极、第三栅极；

其中，所述第三遮光层绝缘的设于所述第三漏极和所述第三源极之间；所述第二栅极延伸并连接至所述第一漏极和所述第二源极；所述第三缓冲层设于所述第三漏极和所述第三遮光层之间、所述第三缓冲层和所述第三源极之间，且覆盖所述第三遮光层；所述第三半导体设于所述第三缓冲层上且对应的连接至所述第三源极和所述第三漏极；所述第三栅极对应设于所述第三半导体上方。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述第一遮光层绝缘的设于所述第一漏极和所述第一源极之间；所述缓冲层包括第一缓冲层，设于所述第一漏极和所述第一遮光层之间、所述第一遮光层和所述第一源极之间，且覆盖所述第一遮光层；所述半导体层包括第一半导体，设于所述第一缓冲层上且对应的连接至所述第一源极和所述第一漏极；所述栅极层包括第一栅极，对应设于所述第一半导体上方。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

钝化层，设于所述金属层、所述半导体层、所述栅极层上；

平坦层，设于所述钝化层上；以及

像素电极层，设于所述平坦层上，且延伸并连接至所述第三漏极。

4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二漏极、所述第二遮光层连接至所述第三漏极；所述缓冲层包括第二缓冲层，覆盖于所述第二遮光层上；所述半导体层包括第二半导体，设于所述第二缓冲层上且对应的连接至所述第二遮光层和所述第二漏极；所述第二栅极对应设于所述第二半导体上方，所述第二栅极和所述第二遮光层之间形成电容。

5.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一基板；

在所述基板上沉积金属材料形成一金属层，并利用一张光罩对所述金属层进行图案化处理，使得所述金属层形成间隔设置的源极和漏极、遮光层，其中，所述金属层形成有第一源极、第一漏极、第一遮光层、第二源极、第二漏极、第二遮光层、第三源极、第三漏极、第三遮光层；

在所述金属层和所述基板上形成缓冲层，所述缓冲层包覆所述遮光层，其中，所述缓冲层形成有第三缓冲层；

在所述缓冲层上形成半导体层，所述半导体层延伸并连接所述源极和所述漏极，其中，所述半导体层形成有第三半导体；

在所述半导体层、所述金属层和部分所述缓冲层上形成栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上沉积金属材料，形成栅极层，其中，所述栅极层形成有第二栅极、第三栅极；

其中，所述第三遮光层绝缘的设于所述第三漏极和所述第三源极之间；所述第二栅极延伸并连接至所述第一漏极和所述第二源极；所述第三缓冲层设于所述第三漏极和所述第三遮光层之间、所述第三缓冲层和所述第三源极之间，且覆盖所述第三遮光层；所述第三半导体设于所述第三缓冲层上且对应的连接至所述第三源极和所述第三漏极；所述第三栅极对应设于所述第三半导体上方。

6.如权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，

在形成间隔设置的源极和漏极、遮光层的步骤中，还包括：

通过物理气相沉积工艺在所述基板上形成所述金属层；

在所述金属层上安装一光罩；

在所述金属层上涂覆一层光阻溶液，并对所述光阻溶液进行曝光显影处理，所述光阻溶液形成光阻层；

从所述金属层上移除所述光罩；

通过湿刻蚀工艺对所述金属层进行刻蚀处理；以及

剥离所述金属层上的光阻层，所述金属层形成间隔设置的所述源极和所述漏极、所述遮光层。