[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括用于形成目标图形的待刻蚀层，所述基底包括第一区域和第二区域，形成于所述第一区域的目标图形间距小于形成于所述第二区域的目标图形间距；

在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层；

形成保形覆盖所述第一掩膜层和基底的侧墙材料层，位于所述第一掩膜层的侧壁的所述侧墙材料层作为掩膜侧墙，剩余的所述侧墙材料层作为牺牲层，其中，位于所述第一区域的所述第一掩膜层和掩膜侧墙用于构成第一掩膜结构，位于所述第二区域的所述第一掩膜层和掩膜侧墙用于构成第二掩膜结构；

对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理，所述横向减薄处理适于减小所述第一掩膜结构的宽度；

去除位于所述基底上的所述牺牲层；

以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述基底，将所述待刻蚀层图形化成多个凸起的目标图形。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述提供基底的步骤中，所述待刻蚀层为核心材料层；

将所述待刻蚀层图形化成多个凸起的目标图形后，所述目标图形为核心层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层的步骤包括：形成覆盖所述基底的第一掩膜材料层；

形成覆盖所述第一掩膜材料层的平坦化层；

形成覆盖所述平坦化层的抗反射涂层；

在所述第一区域和第二区域的所述抗反射涂层上形成图形化的光刻胶层；

以所述光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述抗反射涂层、平坦化层和第一掩膜材料层，将所述第一掩膜材料层图形化成第一掩膜层。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底还包括位于所述待刻蚀层上的第二掩膜材料层；

在所述第一区域和第二区域的所述基底上形成第一掩膜层的步骤中，所述第一掩膜层的耐刻蚀度小于所述第二掩膜材料层的耐刻蚀度；

以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述基底，将所述待刻蚀层图形化成多个凸起的目标图形的步骤包括：以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述第二掩膜材料层，形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层露出的所述待刻蚀层。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成保形覆盖所述第一掩膜层和基底的侧墙材料层后，对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理之前，所述形成方法还包括：在所述第二区域的所述侧墙材料层上形成遮挡层；

以所述遮挡层为掩膜，对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理；

所述形成方法还包括：对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理后，去除位于所述基底上的所述牺牲层之前，去除所述遮挡层。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述横向减薄处理的工艺为各向同性的刻蚀工艺。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在同一刻蚀工艺过程中，依次去除位于所述基底上的所述牺牲层、以及刻蚀所述基底。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述横向减薄处理后的所述第一掩膜结构和所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述基底之前，采用各向异性的刻蚀工艺，去除位于所述基底上的所述牺牲层。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述第一掩膜结构的侧壁进行横向减薄处理的步骤中，去除所述掩膜侧墙。

10.如权利要求1或9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的厚度小于或等于10纳米。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用原子层沉积工艺形成所述侧墙材料层。