[发明专利]一种六面包围嵌入式封装方法

权利要求书

1.一种六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

A，在嵌入转接板制作TSV铜柱，减薄转接板另一面，露出铜柱底端；

B，在转接板表面刻蚀空腔，腐蚀空腔内铜柱；

C，空腔内嵌入芯片，在芯片与空腔的缝隙中间填充胶体固化，在芯片表面做RDL和焊盘；

D，制作具有互联结构的封盖，把封盖跟转接板键合在一起，得到六面包覆的嵌入式封装结构。

2.如权利要求1所述的六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，所述步骤A具体包括：

在硅片表面制作TSV孔，孔直径范围在1um到1000um，深度在10um到1000um；

在硅片上方沉积绝缘层，或者直接热氧化，绝缘层厚度范围在10nm到100um之间；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作种子层，种子层厚度范围在1nm到100um；

电镀铜，使铜金属充满TSV，200到500度温度下密化使铜更致密；铜CMP工艺使硅片表面铜去除，使硅片表面只剩下填铜；

减薄硅片另一面，直接减薄或者用临时键合的方式先保护TSV面再减薄；

通过干法刻蚀使背部铜柱露出，然后沉积氧化硅或者氮化硅钝化层，通过CMP的工艺使铜柱露出。

3.如权利要求1所述的六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，所述步骤B具体包括：

在减薄面进行干法刻蚀出空腔103，空腔深度范围在100nm到700um之间，形状包括方形，圆形，椭圆形或三角形，其侧壁是垂直的，或者是有斜坡的；

在空腔底部沉积钝化层，然后通过湿法腐蚀，去除空腔内金属铜柱，只留下底部露头。

4.如权利要求1所述的六面包围嵌入式封装方法，其特征在于，所述步骤C具体包括：

用表面带有焊料的芯片嵌入到空腔内，加热使焊料跟金属柱互联；

通过底部填胶或者表面旋涂的工艺在芯片和空腔的缝隙填胶，固化后，通过干法刻蚀或者湿法腐蚀的工艺去除芯片表面残胶；通过光刻和电镀工艺，在芯片表面做RDL和焊盘；或者在焊盘表面制作BGA焊球。