[发明专利]集成电路装置的形成方法在审
| 申请号： | 202010128436.4 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN112018040A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 周智超;江国诚;朱熙甯;蓝文廷;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 形成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：
接收一基板，其包括一第一半导体层、该第一半导体层上的一第二半导体层、与该第二半导体层上的一第三半导体层，且该第二半导体层不同于该第一半导体层与该第三半导体层；
形成多个鳍状物于该第三半导体层上；
形成一沟槽于两个所述多个鳍状物之间，其中该沟槽延伸穿过该第三半导体层并具有一下表面于该第二半导体层上；
沉积一虚置材料于该沟槽中；
形成一栅极结构于所述多个鳍状物的多个通道区上；
形成多个源极/漏极结构于所述多个鳍状物的多个源极/漏极区上；
接合该基板至一承载晶圆上；
移除该第一半导体层与该第二半导体层以露出该虚置材料；
移除该沟槽中的该虚置材料；
沉积一导电材料于该沟槽中；以及
接合该基板至一硅基板，使该导电材料接触该硅基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
