[发明专利]一种背膜结构及显示装置有效
申请号: | 202010128176.0 | 申请日: | 2020-02-28 |
公开(公告)号: | CN111326529B | 公开(公告)日: | 2023-02-07 |
发明(设计)人: | 吴露;刘陆;史世明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 姚楠 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 膜结构 显示装置 | ||
1.一种背膜结构,其特征在于,包括:
衬底膜层,所述衬底膜层包括第一区域和与所述第一区域间隔预设距离的第二区域;
位于所述第一区域的第一胶材层;
位于所述第二区域的第二胶材层,所述第二胶材层的厚度小于所述第一胶材层的厚度,其中,所述第一胶材层与所述第二胶材层在所述衬底膜层上的正投影互不交叠;
其中,所述第一胶材层和所述衬底膜层之间设置有第一高分子膜层,所述第二胶材层和所述衬底膜层之间设置有第二高分子膜层,所述第一高分子膜层的厚度小于所述第二高分子膜层的厚度。
2.如权利要求1所述的背膜结构,其特征在于,所述第二胶材层和所述衬底膜层之间间隔设置有至少一层胶材层。
3.如权利要求2所述的背膜结构,其特征在于,所述第二高分子膜层和所述衬底膜层之间设置有第三胶材层,所述第三胶材层和所述衬底膜层之间设置有第三高分子膜层。
4.如权利要求3所述的背膜结构,其特征在于,所述第一胶材层和所述第一高分子膜层的厚度之和,与所述第二胶材层、所述第二高分子膜层、所述第三胶材层和所述第三高分子膜层的厚度之和相等。
5.如权利要求4所述的背膜结构,其特征在于,所述第一胶材层与所述第一高分子膜层在所述衬底膜层的正投影相互交叠,所述第二胶材层、所述第二高分子膜层、所述第三胶材层和所述第三高分子膜层在所述衬底膜层上的正投影相互交叠。
6.如权利要求5所述的背膜结构,其特征在于,所述第一胶材层、所述第二胶材层和所述第三胶材层的材料为丙烯酸脂类压敏胶。
7.如权利要求5所述的背膜结构,其特征在于,所述第一高分子膜层、所述第二高分子膜层和所述第三高分子膜层的材料均为聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸树脂、橡胶和尼龙中的至少一种。
8.如权利要求1所述的背膜结构,其特征在于,所述背膜结构包括设置在所述第一胶材层和所述第二胶材层远离所述衬底膜层一侧的保护膜。
9.一种显示装置,其特征在于,包括显示面板,驱动芯片,以及剥离如权利要求1-8任一项所述的背膜结构的所述衬底膜层的背膜,所述背膜通过所述第一胶材层和所述第二胶材层与所述显示面板背离发光面的一侧贴合在一起,且所述第二胶材层位于所述第一胶材层和所述驱动芯片之间,所述显示面板包括显示区和绑定区,所述第一区域在所述显示面板的正投影完全落入所述显示区在所述显示面板的正投影范围内,所述第二区域在所述显示面板的正投影至少部分落入所述绑定区在所述显示面板的正投影范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的