[发明专利]一种SiCf

说明书

一种SiC_f@BN核壳结构短切纤维的制备方法，具体涉及一种SiC_f@BN核壳结构短切纤维的制备方法。属于航空航天、吸波、环保、催化、生物传感、半导体材料、能源和核防护材料制备领域。本发明的目的是为了解决传统碳化硅短切纤维吸波性能较弱的问题，制备方法：一、预处理；二、浸渍；三、焙烧；四、重复焙烧，得到具有BN外壳的SiC_f@BN。优点：一、成本低、操作简单；二、BN外壳的厚度可调节；三、具有优异的吸波性能。本发明应用于具有核壳结构的SiC_f@BN的制备领域。

技术领域

本发明涉及一种SiC_f@BN核壳结构短切纤维的制备方法。

背景技术

作为一种在吸波方面有极大应用潜力的材料，碳化硅短切纤维(SiC_f)自身具有一定的吸波性能，在一定程度上能够吸收电磁波，减少电磁辐射污染、信息泄露等问题的发生，在民用和军事领域上都有广泛的应用前景。同时，SiC_f具有密度低、化学性质稳定、热稳定性优异等特点，能够满足一些极端条件下的应用要求。但是，在2GHz～18GHz频率范围内对SiC_f进行吸波性能测试，结果表明SiC_f能达到的反射损耗值(RL)只有-16.433dB，虽然小于-10dB，具有一定的吸波性能，但是吸波效果并不优异。

发明内容

本发明的目的是为了解决传统碳化硅短切纤维吸波性能较弱的问题，提供了一种SiC_f@BN核壳结构短切纤维的制备方法。

本发明一种SiC_f@BN核壳结构短切纤维的制备方法，是按以下步骤完成的：

一、预处理：称取碳化硅短切纤维，加入碱溶液中，于20℃～80℃条件下搅拌洗涤，抽滤、蒸馏水洗涤至中性后，转移至HF溶液中，搅拌洗涤，抽滤、蒸馏水洗涤至中性后，再于HCl溶液中洗涤，然后抽滤、蒸馏水洗涤至中性，再在20℃～160℃条件下烘干，得到预处理后的碳化硅短切纤维；

二、浸渍：称取硼源、氮源，加入溶剂A中，超声5min～60min，获得浸渍液，将预处理后的碳化硅短切纤维浸没到浸渍液中，超声3min～10min，然后静置浸渍，抽滤，将抽滤后得到的固体物于20℃～160℃条件下干燥，得到浸渍硼源、氮源后的碳化硅短切纤维；其中溶剂A为水和甲醇按体积比1:(0.5～3)的比例混合而成的溶液；

三、焙烧：将浸渍硼源、氮源后的碳化硅短切纤维置于管式炉中，于氮气环境中升温，然后进行焙烧，待冷却至室温后，停止通气；

四、重复焙烧：步骤三处理后即完成SiC_f@BN核壳结构短切纤维的制备或将步骤二和步骤三的操作重复1～10次，得到具有SiC_f@BN核壳结构的短切纤维。