[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

多个晶体管，串联连接在电源端子和接地端子之间，并且所述晶体管的栅极端子连接在一起；以及

电阻器，覆盖在所述晶体管上方，所述电阻器连接在所述晶体管和所述接地端子之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一金属互连件，其中，所述第一金属互连件将所述晶体管的所述栅极端子连接在一起。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

第二金属互连件，其中，所述第二金属互连件将一个所述晶体管的源极端子连接到所述电阻器的第一端；以及

第三金属互连件，其中，所述第三金属互连件将所述电阻器的第二端连接到所述接地端子。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一金属互连件、所述第二金属互连件和所述第三金属互连件通过覆盖在所述晶体管上方的多个金属互连层来实施。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，将所述电阻器实施在两个所述金属互连层之间的层处。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，将所述电阻器实施在所述金属互连层中的顶层与顶部金属层之间的层处。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，将所述电阻器实施在顶部金属层和接合焊盘层之间的层处。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述晶体管形成在第一区域内，所述电阻器形成在与所述第一区域重叠的第二区域中。

9.一种半导体器件，包括：

第一组晶体管，串联连接在第一电源端子和第一接地端子之间，并且所述第一组中的所述晶体管的栅极端子连接在一起；

第二组晶体管，串联连接在第二电源端子和第二接地端子之间，并且所述第二组中的所述晶体管的栅极端子连接在一起并且连接到所述第一组中的所述晶体管的所述栅极端子；

第一电阻器，覆盖在所述第一组的第一晶体管上方，所述第一电阻器连接在所述第一组的所述第一晶体管与所述第一接地端子之间；以及

第二电阻器，覆盖在所述第二组的第二晶体管上方，所述第二电阻器连接在所述第二组的所述第二晶体管与所述第二接地端子之间。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

通过在第一电源端子和第一接地端子之间串联连接多个第一晶体管并且将所述第一晶体管的栅极端子连接在一起来形成第一等效晶体管；

通过在第二电源端子和第二接地端子之间串联连接多个第二晶体管并且将所述第二晶体管的栅极端子连接在一起来形成第二等效晶体管；

在所述第一等效晶体管上方形成第一电阻器，所述第一电阻器连接在所述第一等效晶体管和所述第一接地端子之间；以及

在所述第二等效晶体管上方形成第二电阻器，所述第二电阻器连接在所述第二等效晶体管和所述第二接地端子之间。