[发明专利]半导体组件及半导体封装

说明书

在一个实施例中，提供了一种半导体封装，其包括至少一个管芯垫、多个外部接触部、第一半导体器件和第二半导体器件。第二半导体器件包括第一晶体管器件，该第一晶体管器件具有源极电极、栅极电极和漏极电极、前表面和后表面。前金属化位于第二半导体器件的前表面上，并且后金属化位于第二半导体器件的后表面上。前金属化包括耦合到源极电极的第一电源接触垫，第一电源接触垫安装在管芯垫上。后金属化包括电耦合到漏极电极的第二电源接触垫和与第二电源接触垫和漏极电极电绝缘的辅助横向再分布结构。第一半导体器件电耦合到辅助横向再分布结构。

背景技术

用于功率电子应用的晶体管通常用硅（Si）半导体材料来制造。用于功率应用的常见晶体管器件包括Si Cool-MOS®、Si功率MOSFET和Si绝缘栅双极晶体管（IGBT）。这些晶体管器件可以连接在一起以提供电路或电路的部分。例如，两个晶体管器件可以被电连接以形成半桥电路。这种电路通常需要可以用于切换晶体管的控制电路。控制电路可以包括栅极驱动器电路。

晶体管器件和具有控制电路的器件可以容纳在单个半导体封装内，该单个半导体封装可以具有标准的封装轮廓。然而，由于封装内的有限可用空间，在器件之间提供连接以形成期望的电路具有一些挑战。EP 2463904 A2公开了多芯片功率四方扁平无引线封装，其中封装的引线框用于电互连。然而，对包括多于一个半导体器件的封装的改进是合期望的。

发明内容

在一个实施例中，提供了一种半导体封装，其包括至少一个管芯垫、多个外部接触部、第一半导体器件和第二半导体器件。第二半导体器件包括第一晶体管器件，该第一晶体管器件具有源极电极、栅极电极和漏极电极、前表面和后表面。前金属化位于第二半导体器件的前表面上，而后金属化位于第二半导体器件的后表面上。前金属化包括耦合到源极电极的第一电源接触垫（power contact pad），第一电源接触垫安装在管芯垫上。后金属化包括电耦合到漏极电极的第二电源接触垫和与第二电源接触垫和漏极电极电绝缘的辅助横向再分布结构（auxiliary lateral redistribution structure）。第一半导体器件电耦合到辅助横向再分布结构。

在一个实施例中，提供了一种包括晶体管器件的半导体组件。该晶体管器件包括前表面和后表面、源极电极、栅极电极和漏极电极、在前表面上的前金属化和在后表面上的后金属化。后金属化包括布置在漏极电极上并电耦合到漏极电极的第二电源接触垫、以及与第二电源接触垫和漏极电极电绝缘的辅助横向再分布结构。

本领域技术人员在阅读以下详细描述并查看附图后将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图中的元素不一定是相对于彼此按比例绘制的。相同的附图标记表示对应的类似部分。各种所示实施例的特征可以被组合，除非它们彼此排斥。示例性实施例在附图中描绘并在随后的描述中详述。

图1a示出根据一个实施例的半导体封装的顶视图，而图1b示出其截面视图；

图2示出根据一个实施例的半导体封装的顶视图；

图3a示出沿图2的线A-A的截面视图；

图3b示出沿图2的线B-B的截面视图；

图4示出根据一个实施例的半导体封装的顶视图；

图5a示出沿图4的线C-C的截面视图；

图5b示出沿图2的线D-D的截面视图；

图6示出可以用于图1、2或4的半导体封装中的半导体组件的截面视图。

具体实施方式