[发明专利]半导体组件及半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装（10；50；60），包括：

至少一个管芯垫（11）；

多个外部接触部（12）；

第一半导体器件（14）；

第二半导体器件（15；15'；15），包括具有源极电极（18）、栅极电极（19）和漏极电极（20）的第一晶体管器件（17），所述第二半导体器件（15；15'；15）包括前表面（21）和后表面（22）、在所述前表面（21）上的前金属化（23）和在所述后表面（22）上的后金属化（24），其中所述前金属化（23）包括耦合到所述源极电极（18）的第一电源接触垫（25），所述第一电源接触垫（25）安装在所述管芯垫（11）上，并且所述后金属化（24）包括电耦合到所述漏极电极（20）的第二电源接触垫（26）和与所述第二电源接触垫（26）和所述漏极电极（20）电绝缘的辅助横向再分布结构（27），

其中，所述第一半导体器件（15；15'；15）电耦合到所述辅助横向再分布结构（27）。

2.根据权利要求1所述的半导体封装（10；50；60），其中所述辅助横向再分布结构（27）包括导电迹线（28；64），其延伸到导电迹线（28；64）的一端或两端处的接触垫（29、30）中。

3.根据权利要求1或2所述的半导体封装（10），其中，所述第一半导体器件（15）通过所述第二半导体器件（15）上的所述辅助横向再分布结构（27）电耦合到外部接触部（12'），并且所述辅助横向再分布结构（27）可操作地未连接到所述第二晶体管器件（15）。

4.根据权利要求1或2所述的半导体封装（50），其中所述第一半导体器件（14）包括栅极驱动器电路并且通过所述辅助横向再分布结构（27）电耦合到所述第一晶体管器件（17）的所述栅极电极（20）。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体封装（50；60），其中所述第二半导体器件（15'；15）还包括从所述后表面（22）延伸到所述前表面（21）的至少一个穿衬底通孔（55、67、68），所述穿衬底通孔（55、67、68）电耦合到所述后表面（22）上的所述辅助横向再分布结构（17）。

6.根据权利要求5所述的半导体封装（50，60），其中所述穿衬底通孔（55，67，67）还电耦合到所述前表面（21）上的浇道（51），其电耦合到所述第一晶体管器件（17）的所述栅极电极（19）。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体封装，其中，所述第二半导体组件（15）还包括辅助结构（70），并且所述辅助横向再分布结构（17）电耦合到所述辅助结构（70）。

8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中，所述辅助结构（70）是提供电流感测的辅助晶体管器件、或提供温度感测的辅助晶体管器件、或下拉辅助晶体管器件。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体封装（60），其中所述后表面（22）上的所述第二电源接触垫（26）被分成两个或更多个部分（61；62；63），并且其中所述辅助横向再分布结构（27）包括位于所述第二电源接触垫的两个相邻部分（61；62）之间并且与其电绝缘的第一导电迹线（65）、以及布置在所述后表面（22）的外围边缘区中并且连接到所述第一导电迹线（65）的第二导电迹线（64），其中所述穿衬底通孔（67）在所述后表面（22）上的所述第一导电迹线（65）和所述前表面（21）上的所述浇道（51）之间或者在所述后表面（22）上的所述第二导电迹线（64）和所述前表面（21）上的所述浇道（51）之间延伸。

10.根据权利要求9所述的半导体封装（60），其中所述前表面（21）上的所述浇道（51）基本上垂直于所述后表面（22）上的所述第一导电迹线（65）延伸，并且所述穿衬底通孔（67）在所述第一导电迹线（65）和所述浇道（51）之间延伸。