[发明专利]图像传感器

说明书

图像传感器包括偏振器阵列和深度像素阵列。偏振器阵列可包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一单位像素至第四单位像素，并且可包括分别设置在第一单位像素至第四单位像素中的偏振光栅。第一单位像素至第四单位像素的偏振光栅可具有彼此不同的偏振方向。深度像素阵列可包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的深度像素。深度像素中的每一个可包括光电转换装置和共同连接至光电转换装置的第一读取电路和第二读取电路。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月28日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0024003的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种图像传感器，并且具体地，涉及一种能够实现三维图像的图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换为电信号的电子装置。随着计算机和通信行业的近期发展，对在诸如数码相机、摄像机、个人通信系统、游戏机、安全相机、医用微型相机和/或机器人等各种应用中的高性能图像传感器的需求越来越大。此外，最近正在开发用于实现三维和/或彩色图像的图像传感器。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种图像传感器，其被构造为容易从朝着对象发射并且被对象反射的光中获得信号，所述信号包含关于偏振状态和相对于对象的深度的信息。

根据本发明构思的实施例，一种图像传感器可包括：偏振器阵列，其包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一单位像素至第四单位像素，偏振器阵列包括分别设置在第一单位像素至第四单位像素中的偏振光栅。第一单位像素至第四单位像素的偏振光栅具有彼此不同的偏振方向。图像传感器还包括：深度像素阵列，其包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的深度像素。深度像素中的每一个可包括光电转换装置以及共同连接至光电转换装置的第一读取电路和第二读取电路。

根据本发明构思的实施例，一种图像传感器可包括：半导体衬底，其具有彼此相对的第一表面和第二表面，并且包括多个像素区域；光电转换区域，其分别位于半导体衬底的各像素区域中；第一读取电路和第二读取电路，其位于像素区域中的每一个中的半导体衬底的第一表面上；以及偏振器阵列，其位于半导体衬底的第二表面上。偏振器阵列可包括分别设置在像素区域中的偏振光栅。像素区域的偏振光栅可具有彼此不同的偏振方向。

根据本发明构思的实施例，一种图像传感器可包括：偏振器阵列，其包括二维地布置的第一单位像素至第四单位像素，并且包括分别设置在第一单位像素至第四单位像素中并且具有彼此不同的偏振方向的偏振光栅；深度像素阵列，其包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的深度像素，深度像素中的每一个包括光电转换装置以及连接至光电转换装置的第一读取电路至第四读取电路；以及微透镜阵列，其包括分别对应于第一单位像素至第四单位像素的微透镜。偏振器阵列可设置在微透镜阵列与深度像素阵列之间。

附图说明

通过以下结合附图的简单描述，将更清楚地理解示例实施例。

附图表示本文所述的非限制性示例实施例。

图1是示意性地示出根据本发明构思的实施例的图像传感器系统的图。

图2是示出根据本发明构思的实施例的图像传感器的框图。

图3是示意性地示出根据本发明构思的实施例的图像传感器的有源像素传感器阵列的框图。

图4是示出设置在根据本发明构思的实施例的深度像素阵列中的4抽头结构的深度像素的电路图。

图5是示出根据本发明构思的实施例的图像传感器的深度像素阵列的示意性平面图。

图6是示出根据本发明构思的实施例的图像传感器的深度像素阵列的平面图。