[发明专利]图像传感器在审
| 申请号: | 202010122853.8 | 申请日: | 2020-02-27 |
| 公开(公告)号: | CN111627946A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
| 发明(设计)人: | 陈暎究;金永灿;权容铉;林茂燮;郑泰燮 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/378 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 图像传感器 | ||
1.一种图像传感器,包括:
偏振器阵列,其包括在彼此交叉的第一方向和第二方向上布置的第一单位像素至第四单位像素,所述偏振器阵列包括分别设置在所述第一单位像素至所述第四单位像素中的偏振光栅,其中,所述第一单位像素至所述第四单位像素的所述偏振光栅具有彼此不同的偏振方向;以及
深度像素阵列,其包括分别对应于所述第一单位像素至所述第四单位像素的深度像素,所述深度像素中的每一个深度像素包括光电转换装置、以及共同连接至所述光电转换装置的第一读取电路和第二读取电路。
2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一读取电路和所述第二读取电路中的每一个包括:
浮动扩散节点;以及
光电栅电极,其连接在所述光电转换装置与所述浮动扩散节点之间。
3.根据权利要求2所述的图像传感器,其中,所述第一读取电路和所述第二读取电路中的每一个还包括:
转移栅电极,其位于所述光电栅电极与所述浮动扩散节点之间;
存储栅电极,其位于所述转移栅电极与所述光电栅电极之间;以及
俘获栅电极,其位于所述光电栅电极与所述存储栅电极之间。
4.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:微透镜阵列,其包括分别对应于所述第一单位像素至所述第四单位像素的多个微透镜,
其中,当在剖视图中看时,所述偏振器阵列设置在所述微透镜阵列与所述深度像素阵列之间。
5.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一单位像素至所述第四单位像素分别包括第一偏振光栅至第四偏振光栅,
所述第一偏振光栅平行于所述第一方向延伸,
所述第二偏振光栅在相对于所述第一方向成45°角的方向上延伸,
所述第三偏振光栅平行于所述第二方向延伸,
所述第四偏振光栅在相对于所述第一方向成135°角的方向上延伸,并且
所述第一单位像素至所述第四单位像素在顺时针方向上顺序地布置。
6.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述第一单位像素和所述第二单位像素在所述第一方向上彼此相邻地设置,
所述第一单位像素和所述第二单位像素的所述第一读取电路相对于平行于所述第二方向的线并且在所述第一单位像素与所述第二单位像素之间以镜面对称方式设置,并且
所述第一单位像素和所述第二单位像素的所述第二读取电路相对于所述线并且在所述第一单位像素与所述第二单位像素之间以镜面对称方式设置。
7.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,在所述深度像素中的每一个深度像素中,所述第一读取电路和所述第二读取电路在所述第一方向上彼此相邻地布置。
8.根据权利要求6所述的图像传感器,其中,在所述深度像素中的每一个深度像素中,所述第一读取电路和所述第二读取电路在与所述第一方向和所述第二方向不同的第三方向上彼此相邻地布置。
9.根据权利要求1所述的图像传感器,其中,所述深度像素阵列的所述深度像素中的每一个深度像素还包括共享所述光电转换装置的第三读取电路和第四读取电路。
10.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述第三读取电路和所述第四读取电路中的每一个包括:
浮动扩散节点;以及
光电栅电极,其连接在所述光电转换装置与所述浮动扩散节点之间。
11.根据权利要求9所述的图像传感器,其中,所述第一单位像素的所述第一读取电路至所述第四读取电路和所述第二单位像素的所述第一读取电路至所述第四读取电路相对于平行于所述第二方向的线并且在所述第一单位像素与所述第二单位像素之间以镜面对称方式设置,并且
所述第一单位像素和所述第二单位像素的所述第一读取电路至所述第四读取电路和所述第三单位像素和所述第四单位像素的所述第一读取电路至所述第四读取电路相对于平行于所述第一方向的线以镜面对称方式设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





