[发明专利]键合方法

说明书

本申请提供一种键合方法，所述键合方法包括：在第一基片的表面形成第一对准标记以及第一凹槽，所述第一凹槽具有第一深度；在所述第一基片的表面形成第一材料层，其中，所述第一凹槽的底部也被覆盖所述第一材料层；根据所述第一对准标记，对覆盖所述第一凹槽底部的所述第一材料层进行刻蚀，在所述第一凹槽底部形成第二对准标记；将第二基片的表面与所述第一材料层的表面键合；以及从所述第二基片的背面对所述第二基片进行减薄处理，从所述第二基片的背面观察到所述第一凹槽底部的所述第二对准标记。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种键合方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，有一些特殊器件需要对两片基片进行键合，并且，对于键合精度有很高的要求，必须有完整有效的对准标记用来对准。此外，在键合之后，还需要利用对准标记进行后续工艺。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本申请的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本申请的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

发明内容

本申请的发明人发现，在现有的半导体制造工艺中，普通的对准标记从第一基片的键合表面凸出，在实际键合过程中，该对准标记受到第二基片的键合表面的挤压会产生变形，从而导致键合效果较差，此外，变形后的对准标记无法用于后续的工艺。

本申请提供一种键合方法，将对准标记形成于基片的凹槽内，由此，在键合时，能够避免对准标记与键合用的另一基片的表面接触，从而防止对准标记受到键合压力而变形。

根据本申请实施例的一个方面，提供一种键合方法，所述键合方法包括：

在第一基片的表面形成第一对准标记以及第一凹槽，所述第一凹槽具有第一深度；

在所述第一基片的表面形成第一材料层，其中，所述第一凹槽的底部也被覆盖所述第一材料层；

根据所述第一对准标记，对覆盖所述第一凹槽底部的所述第一材料层进行刻蚀，在所述第一凹槽底部形成第二对准标记；

将第二基片的表面与所述第一材料层的表面键合；以及

从所述第二基片的背面对所述第二基片进行减薄处理，从所述第二基片的背面观察到所述第一凹槽底部的所述第二对准标记。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述键合方法还包括：

使用所述第二对准标记，在所述第二基片的背面形成第二材料层图形。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，形成所述第一对准标记的步骤包括：

刻蚀所述第一基片的表面。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一材料层的厚度小于或等于所述第一凹槽的深度。

根据本申请实施例的另一个方面，其中，所述第一材料层的材料为二氧化硅。

本申请的有益效果在于：将对准标记形成于基片的凹槽内，由此，在键合时，能够避免对准标记与键合用的另一基片的表面接触，从而防止对准标记受到键合压力而变形。

参照后文的说明和附图，详细公开了本申请的特定实施方式，指明了本申请的原理可以被采用的方式。应该理解，本申请的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本申请的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。