[发明专利]键合方法有效
| 申请号： | 202010121126.X | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314404B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 龚燕飞;张恺 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种键合方法，其特征在于，所述键合方法包括：
在第一基片的表面形成第一对准标记以及第一凹槽，所述第一凹槽具有第一深度；
在所述第一基片的表面形成第一材料层，其中，所述第一凹槽的底部也被覆盖所述第一材料层；
根据所述第一对准标记，对覆盖所述第一凹槽底部的所述第一材料层进行刻蚀，在所述第一凹槽底部形成第二对准标记；
将第二基片的表面与所述第一材料层的表面键合；以及
从所述第二基片的背面对所述第二基片进行减薄处理，从所述第二基片的背面观察到所述第一凹槽底部的所述第二对准标记。
2.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，所述键合方法还包括：
使用所述第二对准标记，在所述第二基片的背面形成第二材料层图形。
3.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，
形成所述第一对准标记的步骤包括：
刻蚀所述第一基片的表面。
4.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，
所述第一材料层的厚度小于或等于所述第一凹槽的深度。
5.如权利要求1所述的键合方法，其特征在于，
所述第一材料层的材料为二氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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