[发明专利]自适应温度芯片量产校准方法及系统

说明书

本发明提供了一种自适应温度芯片量产校准方法及系统，包括：步骤S1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压V₁，参考电压V₂，偏置电流I₁，静态工作电流I₂；步骤S2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值TrimT，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计ΔT_init＝f(V₁,V₂,I₁,I₂),从而得到温度偏差的校准值ΔT_init。本发明自适应地纠正校准参数保证了系统运行的高效。无论是转塔式还是振动盘式的温度生产测量装置，其测试准确度和效率都得到了提高。

技术领域

本发明涉及半导体温度芯片的量产生产领域，具体地，涉及一种自适应温度芯片量产校准方法及系统。

背景技术

温度传感器芯片的校准涉及1)温度芯片传输到测试站点2)在测试站点稳定的时间3)测试站点温度和外界是否有隔离和温度的对流4)测试站点的校准时长5)芯片校准后温度的测量方式。

专利CN101658355A提出使用一种氧化铝陶瓷发热片的的常温阻值和温度校准电位器的实际阻值。热量的稳定和传递需要一定的时间，会导致工作效率变低；同时采用中央处理器读取ADC采集分压电阻的输出，ADC的精度会对温度的测量有损失和时间上的失配。

发明内容

针对现有技术中的缺陷，本发明的目的是提供一种自适应温度芯片量产校准方法及系统。

根据本发明提供的一种自适应温度芯片量产校准方法，包括：

步骤S1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压V₁，参考电压V₂，偏置电流I₁，静态工作电流I₂；

步骤S2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值TrimT，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计ΔT_init＝f(V₁,V₂,I₁,I₂),从而得到温度偏差的校准值ΔT_init；

步骤S3：从N_T颗芯片中，选择一颗芯片传送到温度检验腔室，重新测量V₁,V₂,I₁,I₂以及实际的温度误差ΔT_post，将这5个参数记录到预设的自适应表格中，如果V₁,V₂,I₁,I₂所定位的ΔT_initΔT_post,此数据表所对应的温度误差将得到修正。

优选地，所述温度偏差统计函数f(V₁,V₂,I₁,I₂)＝∑f(i)；

计算出参数的平均值，其对应的调节函数是f(i)＝k_i*{Avg(i)-i}+b_i；

k_i表示关于参数i的线性关系的系数；

b_i表示关于参数i的线性关系的偏移。

优选地，所述的温度检验腔室：

是固定的温度点，不受外界的环境影响的密闭腔室，接受外界的已测试的芯片，用于纠正温度的偏差。

优选地，所述自适应的数据表的内容包括：