[发明专利]自适应温度芯片量产校准方法及系统

权利要求书

1.一种自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，包括：

步骤S1：温度芯片在量产时仅测量偏置电压V₁，参考电压V₂，偏置电流I₁，静态工作电流I₂；

步骤S2：从预设的自适应表格中寻找相匹配的数据，得到温度的校准值TrimT，同时将此值写入温度芯片中；如果没有找到相匹配的数据，则根据相同工艺条件下对应的温度偏差统计ΔT_init＝f(V₁，V₂，I₁，I₂)，从而得到温度偏差的校准值ΔT_init；

步骤S3：从N_T颗芯片中，选择一颗芯片传送到温度检验腔室，重新测量V₁，V₂，I₁，I₂以及实际的温度误差ΔT_post，将这5个参数记录到预设的自适应表格中，如果V₁，V₂，I₁，I₂所定位的ΔT_init＞ΔT_post，此数据表所对应的温度误差将得到修正；

所述温度偏差统计函数f(V₁，V₂，I₁，I₂)＝∑f(i)；

计算出参数的平均值，其对应的调节函数是f(i)＝k_i*{Avg(i)-i}+b_i；

k_i表示关于参数i的线性关系的系数；

b_i表示关于参数i的线性关系的偏移。

2.根据权利要求1所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述的温度检验腔室：

是固定的温度点，不受外界的环境影响的密闭腔室，接受外界的已测试的芯片，用于纠正温度的偏差。

3.根据权利要求1所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述自适应的数据表的内容包括：

偏置电压V₁、参考电压V₂、偏置电流I₁、静态工作电流I₂以及温度偏差的校准值ΔT_init；

温度腔室测量后添加在自适应的数据表后，在测试站测试出前四个参数后，测试系统将从自适应表中寻找和已测试参数相接近的数据，从而找到ΔT_init的值；

如果没有接近的数据，则使用调节函数f(i)计算出ΔT_init。

4.根据权利要求3所述的自适应温度芯片量产校准方法，其特征在于，所述相接近的数据指误差小于预设误差范围。