[发明专利]带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置在审
| 申请号: | 202010118952.9 | 申请日: | 2020-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN111624857A | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
| 发明(设计)人: | 松井秀树 | 申请(专利权)人: | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;H01J37/304;H01J37/317 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 刘杰 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带电 粒子束 描绘 方法 以及 装置 | ||
一种带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置,实施方式所涉及的带电粒子束描绘方法一边使基板移动一边对其照射带电粒子束,对将上述基板的描绘区域以宽度W分割而成的多个条带的每个依次描绘图案。在该方法中,将针对每个条带一边以设定的条带偏移量在上述条带的宽度方向上使上述条带的基准点偏移并且切换上述基板的移动方向、一边以多重度2n描绘上述多个条带的处理设为1次行程,进行S次上述行程的描绘处理,在上述行程的每个,以设定的行程偏移量在上述条带的宽度方向上使上述行程中的上述条带的基准点偏移而进行描绘,其中,n为1以上的整数,S为2以上的整数。
技术领域
本发明涉及带电粒子束描绘方法以及带电粒子束描绘装置。
背景技术
伴随着LSI的高集成化,半导体器件的电路线宽进一步微细化。作为形成用于在这些半导体器件形成电路图案的曝光用掩模(在步进式曝光装置或扫描式曝光装置中使用的掩模也被称为中间掩模)的方法,使用具有优异的清晰度的电子束描绘技术。
作为电子束描绘装置的一个方式,存在可变成形方式。在可变成形方式中,利用例如通过使其在第1成形光阑的开口和第2成形光阑的开口通过而成形的电子束而在载置于可动工作台的基板上描绘图形。
在电子束描绘装置中,将朝装置输入的设计数据转换成用于朝基板描绘电子束的描绘数据。描绘数据被分割成被称为条带(stripe)的长条状。各条带使用由主偏向器和副偏向器进行位置控制的成为描绘的单位的一次曝光(shot)描绘。条带的宽度由主偏向区域的宽度规定。
因主偏向器的偏向的偏斜,存在在条带的边界部分描绘的图形的连接精度或所描绘的图形的位置精度劣化的顾虑。作为改善图形的连接精度或位置精度的方法,公知有一边使条带偏移一边反复地重叠描绘图案的多重描绘。
图13示出多重描绘的描绘处理的一例。如图13所示,通过沿+x方向进行描绘处理的前向(FWD)描绘在各条带描绘图案,进行基板的描绘区域整面的第1次描绘。然后,将进行了1次描绘区域整面的描绘记为1次行程的描绘。在第1次行程的描绘处理后,使各条带朝y方向偏移而进行FWD描绘,进行第2次行程的描绘处理。
如图13所示,在描绘的进展方向始终为+x方向的FWD-FWD方式的情况下,在进行1个条带的描绘后,为了进行下一个条带的描绘而使工作台位置返回,工作台移动时间变长。因此,描绘时间变长。
如图14所示,通过形成为以条带为单位交替进行沿+x方向进行描绘处理的FWD描绘和沿-x方向进行描绘处理的后向(BWD)描绘的FWD-BWD方式,与FWD-FWD方式相比,能够缩短工作台移动时间。
如图14所示,在将第1次行程以及第2次行程以FWD-BWD方式处理的情况下,在描绘区域中,混杂有如下的区域:在第1次行程被FWD描绘且在第2次行程被BWD描绘的区域R101;在第1次行程以及第2次行程双方被BWD描绘的区域R102;在第1次行程被BWD描绘且在第2次行程被FWD描绘的区域R103;以及在第1次行程以及第2次行程双方被FWD描绘的区域R104。这成为改善描绘精度的障碍。
如图15的(a)~(d)所示,在一边使条带在y方向以比条带宽度小的宽度偏移一边以FWD-BWD方式进行多重描绘的方法中,与FWD-FWD方式相比,能够缩短工作台移动时间。并且,由于通过1次行程完成描绘,因此不需要图14所示方法那样的行程间的工作台移动时间,通量提高。
在电子束描绘装置中,定期地进行偏差修正,调整粒子束位置。但是,很少出现因随机成分而产生错误(error),调整后的粒子束位置产生误差的情况。粒子束位置在下次的偏差修正中被修正至正确的位置。在如图13、14所示那样的多个行程的多重描绘中,即便当在某一行程中在描绘位置产生了误差的情况下,由于在其他的行程中在正确的位置描绘图案,因此能够降低误差的影响。
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