[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 202010118877.6 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN111668136A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 鹤崎广太郎;山下浩司;高山和也;金川耕三 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 存储 介质 | ||
本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。由此，在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
技术领域
本发明涉及基片处理装置、基片处理方法和存储介质。
背景技术
一直以来，已知有在通过使有机溶剂的蒸气与液处理后的基片接触而将附着于基片的处理液置换成有机溶剂后，通过使附着于基片的有机溶剂挥发而使基片干燥的基片处理装置。
在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括：贮存处理液的液处理槽；配置在液处理槽的上方的干燥室，其设置有有机溶剂的蒸气的供给部；和使多个基片在液处理槽与干燥室之间移动的移动机构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2000-91301号公报。
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供一种技术，其在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
用于解决技术问题的技术手段
本发明的一个方式的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。
发明效果
依照本发明，能够在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。
附图说明
图1是实施方式的基片处理装置的截面图。
图2是表示实施方式的释放部的结构的图。
图3是表示实施方式的基片处理装置执行的处理的顺序的一例的流程图。
图4是表示送入处理的动作例的图。
图5是表示液处理的动作例的图。
图6是表示提升前处理的动作例的图。
图7是表示提升处理的动作例的图。
图8是表示提升处理的动作例的图。
图9是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图10是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图11是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图12是表示与多个晶片的上升相应地改变IPA蒸气的释放流量的情形的一例的图。
图13是表示提升后处理的动作例的图。
图14是表示送出处理的动作例的图。
图15是表示贮存处理的动作例的图。
图16是表示贮存处理的动作例的图。
附图标记的说明
W 晶片
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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