[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审

专利信息
申请号: 202010118877.6 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN111668136A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 鹤崎广太郎;山下浩司;高山和也;金川耕三 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;徐飞跃
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置 方法 存储 介质
【权利要求书】:

1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:

贮存处理液的液处理槽;

移动机构,其使浸渍于所述液处理槽中的多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方的位置;

释放部,其向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气;和

控制部,其使所述释放部释放所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而变化。

2.如权利要求1所述的基片处理装置,其特征在于:

所述控制部,在所述多个基片从所述液面开始露出起至所述多个基片的上半部分从所述液面露出结束为止的期间,使所述释放部释放所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而增加,之后,使所述释放部释放所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而减小。

3.如权利要求2所述的基片处理装置,其特征在于:

所述释放部配置在比所述多个基片的上半部分从所述液面露出结束时的所述多个基片的上端的高度位置低的位置。

4.如权利要求1~3中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述释放部配置在所述移动机构使所述多个基片移动的移动路径的侧方,向着所述多个基片水平或向斜下方地释放所述蒸气。

5.如权利要求1~4中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述释放部包括多层配置的多个喷嘴。

6.如权利要求1~5中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

所述释放部在所述多个基片从所述处理液的液面露出之前,开始所述蒸气的供给。

7.如权利要求1~6中任一项所述的基片处理装置,其特征在于:

包括冷却所述处理液的冷却部。

8.一种基片处理方法,其特征在于,包括:

液处理步骤,使多个基片浸渍于液处理槽所贮存的处理液;

移动步骤,在所述液处理步骤后,使所述多个基片移动至比所述处理液的液面靠上方的位置;和

释放步骤,在所述移动步骤中,向所述多个基片的从所述液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气,

所述释放步骤使所述蒸气的释放流量随着所述多个基片的上升而变化。

9.一种计算机可读取的存储介质,其存储有可在计算机上运行的用于控制基片处理装置的程序,所述存储介质的特征在于:

所述程序在运行时使计算机控制所述基片处理装置,以进行权利要求8记载的基片处理方法。

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