[发明专利]非易失性存储装置和使用其的存储系统在审

专利信息
申请号: 202010118529.9 申请日: 2020-02-26
公开(公告)号: CN112133349A 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 尹正赫;李仁秀 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 代理人: 许伟群;周晓雨
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性 存储 装置 使用 存储系统
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储装置,包括:

第一单元阵列,其包括近区域和远区域;和

第二单元阵列,其包括近区域和远区域,

其中,当基于地址信号选择了两个单元阵列之中的一个单元阵列的近区域中所包括的存储单元时,所述非易失性存储装置基于所述地址信号来选择其余的单元阵列的远区域中所包括的存储单元,

其中,所述非易失性存储装置对两个单元阵列之中的所述一个单元阵列的近区域中所包括的存储单元执行第一读取操作,并对所述其余的单元阵列的远区域中所包括的存储单元执行第二读取操作,以及

其中,所述第一读取操作比所述第二读取操作执行更长的时间段。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,从所述第一单元阵列读取的数据通过第一数据传输线输出,并且从所述第二单元阵列读取的数据通过第二数据传输线输出。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储装置,还包括:

第一读取控制电路,其被配置为基于读取信号和所述地址信号而输出第一读取脉冲信号与第二读取脉冲信号中的一个;

第一读取电路,其被配置为基于所述第一读取控制电路的输出对所述第一单元阵列执行读取操作;

第二读取控制电路,其被配置为基于所述读取信号和所述地址信号而输出所述第一读取脉冲信号与所述第二读取脉冲信号中的一个;和

第二读取电路,其被配置为基于所述第二读取控制电路的输出对所述第二单元阵列执行读取操作。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,相比于所述第二读取脉冲信号,所述第一读取脉冲信号被使能更长的时间段。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,所述第一读取控制电路包括:

第一地址控制电路,其被配置为经由第一方法对所述地址信号进行加扰;

第一标志发生电路,其被配置为基于经由所述第一地址控制电路产生的第一加扰地址信号而产生第一标志信号;

脉冲发生电路,其被配置为基于所述读取信号而产生所述第一读取脉冲信号和所述第二读取脉冲信号;和

第一脉冲选择电路,其被配置为基于所述第一标志信号而输出所述第一读取脉冲信号与所述第二读取脉冲信号中的一个。

6.根据权利要求5所述的非易失性存储装置,其中,所述第二读取控制电路包括:

第二地址控制电路,其被配置为经由第二方法对所述地址信号进行加扰;

第二标志发生电路,其被配置为基于经由所述第二地址控制电路产生的第二加扰地址信号而产生第二标志信号;和

第二脉冲选择电路,其被配置为基于所述第二标志信号而输出所述第一读取脉冲信号与所述第二读取脉冲信号中的一个。

7.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,所述第一读取电路包括:

电压供应电路,其被配置为基于所述第一读取脉冲信号与所述第二读取脉冲信号中的一个而向选中的存储单元提供第一读取电压;

第一电流供应电路,其被配置为基于所述第一读取脉冲信号向所述选中的存储单元施加第二读取电压和第一电流;

第二电流供应电路,其被配置为基于所述第二读取脉冲信号向所述选中的存储单元施加所述第二读取电压和第二电流;和

感测放大器,其被配置为通过感测是否发生了所述选中的存储单元的骤回而产生第一数据输出信号。

8.根据权利要求3所述的非易失性存储装置,其中,所述第二读取电路包括:

电压供应电路,其被配置为基于所述第一读取脉冲信号与所述第二读取脉冲信号中的一个而向选中的存储单元提供第一读取电压;

第一电流供应电路,其被配置为基于所述第一读取脉冲信号向所述选中的存储单元施加第二读取电压和第一电流;

第二电流供应电路,其被配置为基于所述第二读取脉冲信号向所述选中的存储单元施加所述第二读取电压和第二电流;和

感测放大器,其被配置为通过感测是否发生了所述选中的存储单元的骤回而产生第二数据输出信号。

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