[发明专利]一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法在审
| 申请号: | 202010118402.7 | 申请日: | 2020-02-26 |
| 公开(公告)号: | CN113312273A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
| 发明(设计)人: | 王崇吉 | 申请(专利权)人: | 北京君正集成电路股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
| 代理公司: | 北京竹辰知识产权代理事务所(普通合伙) 11706 | 代理人: | 聂鹏 |
| 地址: | 100193 北京市海淀区西北旺*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 nand flash 序列号 mac 地址 储存 方法 | ||
本发明提供一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法,包括以下步骤:S1,在NAND FLASH最后分割预留部分存储序列号和MAC地址区域;S2,在擦写序列号和MAC地址区域遇到坏块时标记坏块,并找到下一个好块位置保存数据;S3,将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见;S4,所述序列号和MAC地址区域必须通过指定接口读写。本发明的方法克服现有技术中的问题,能够不增加额外电路和芯片,不占用EFUSE有限空间。
技术领域
本发明涉及存储技术领域,特别涉及一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法。
背景技术
随着科技的不断发展,特别是NAND FLASH技术的发展。现有技术中,产品制造商为了更好管理每一台设备程序升级、用户认证等操作需要验证“产品的合法身份”需要写入序列号及MAC地址,目前普遍做法是将序列号和MAC地址在烧写到EEPROM、EFUSE或者FLASH指定分区。将FLASH划分多个分区,基本包括引导程序分区、内核分区、文件系统分区以及序列号和MAC地址分区等。
现有技术中存在的缺陷在于:
1、EEPROM需要增加电路和芯片,额外增加产品成本。
2、EFUSE只能写一次,不能修改,空间有限。
3、序列号和MAC地址分区在全擦FLASH时需要重写。
4、数据读写没有保护和校验机制。
现有技术中的常用术语包括:
EEPROM:Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程的存储器。
EFUSE:和EEPROM类似,属于一次性可编程存储器。
NAND FLASH:一种非易失性存储器,即断电数据也不会丢失。
块(BLOCK):NAND FLASH擦除操作单位,一般容量128KB,包含64个2KB页。
坏块:是指在NAND FLASH中出现不能进行擦写操作的区域。
MTD:Memory Technology Device即内存技术设备,在Linux内核中MTD层为NORFLASH和NAND FLASH设备提供统一接口。MTD将文件系统与底层FLASH存储器进行了隔离。
序列号(SN):Serial Number的缩写。序列号是一组数字和字符组合的标识符,通常都包含产品型号、版本号、生产厂商、日期、流水号等信息,具有唯一性。
MAC地址:Medium/Media Access Control地址,译为媒体存取控制位址,也叫硬件地址物理地址。采用十六进制数,共六个字节的标识符表示在网络上一个站点位置。具有全球唯一性。
发明内容
为了解决上述问题,本发明的目的在于:提供一种简单的方法克服现有技术中的问题,能够不增加额外电路和芯片,不占用EFUSE有限空间。
具体地,本发明提供一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法,包括以下步骤:
S1,在NAND FLASH最后分割预留部分存储序列号和MAC地址区域;
S2,在擦写序列号和MAC地址区域遇到坏块时标记坏块,并找到下一个好块位置保存数据;
S3,将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见;
S4,所述序列号和MAC地址区域必须通过指定接口读写。
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