[发明专利]一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法在审
| 申请号： | 202010118402.7 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113312273A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 王崇吉 | 申请（专利权）人： | 北京君正集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京竹辰知识产权代理事务所(普通合伙) 11706 | 代理人： | 聂鹏 |
| 地址： | 100193 北京市海淀区西北旺*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 nand flash 序列号 mac 地址 储存 方法 | ||
1.一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，在NAND FLASH最后分割预留部分存储序列号和MAC地址区域；
S2，在擦写序列号和MAC地址区域遇到坏块时标记坏块，并找到下一个好块位置保存数据；
S3，将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见；
S4，所述序列号和MAC地址区域必须通过指定接口读写。
2.根据权利要求1所述的一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，所述的预留部分大于序列号和MAC地址大小之和。
3.根据权利要求2所述的一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，所述的预留部分为2M空间，即8个块。
4.根据权利要求1所述的一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，所述步骤S3中，将序列号和MAC地址区域设置为MTD管理层不可见是通过在MTD管理层上得到的FLASH存储空间减去了所述预留部分的大小而实现。
5.根据权利要求1所述的一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，应用程序和烧录工具通过指定接口读写所述序列号和MAC地址区域。
6.根据权利要求1所述的一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，全擦FLASH时不影响序列号和MAC地址存储区域。
7.根据权利要求1所述的一种基于NAND FLASH的序列号和MAC地址储存方法，其特征在于，所述的步骤S2，进一步包括：
S2.1，MAC地址开始对应第N块开始，根据MAC大小分别存储MAC地址长度、MAC地址数据；
S2.2，当擦写进行到第Z块，发现第Z块是坏块，则标记第Z块为坏块；
S2.3，从第Z+1块开始继续存储，根据序列号大小分别存储序列号长度、序列号数据。
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