[发明专利]晶圆的处理系统在审
| 申请号: | 202010117476.9 | 申请日: | 2020-02-25 |
| 公开(公告)号: | CN111293061A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
| 发明(设计)人: | 夏余平;顾立勋;李君;徐融 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 霍文娟 |
| 地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 系统 | ||
本申请提供了一种晶圆的处理系统,该处理系统包括:清洗腔,清洗腔用于盛放晶圆清洗液;检测设备,检测设备与清洗腔连通,检测设备用于检测清洗液中的金属元素。该处理系统可以将清洗腔中的清洗液输送至检测设备中进行检测,进而可以根据该检测设备得到的检测结果和晶圆在清洗前的制程,分析出该清洗步骤对晶圆产生的金属污染,从而根据该分析结果可以调整晶圆的清洗过程,来缓解或者避免晶圆的金属污染。并且,该处理系统可以实时地对清洗腔中的清洗液进行取样,并自动检测,检测的自动化程度较高,检测效率较高。
技术领域
本申请涉及半导体领域,具体而言,涉及一种晶圆的处理系统。
背景技术
在集成电路中污染无处不在,槽式清洗由于固有的清洗方式会一直饱受交叉污染的困扰,金属污染因为不易发现往往带来极大的影响。
目前,常用的金属检测方式比较复杂,一般会对制作完成的晶圆进行检测,根据该方法的检测结果难易分析出具体的清洗步骤对晶圆产生的金属污染,进而难以对制作工艺进行调整,避免晶圆的金属污染。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解,因此,背景技术中可能包含某些信息,这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种晶圆的处理系统,以解决现有技术中的检测方法不能分析出具体的清洗步骤对晶圆产生的金属污染的问题。
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种晶圆的处理系统,包括处理装置,所述处理装置包括:清洗腔,所述清洗腔用于盛放晶圆清洗液;检测设备,与所述清洗腔连通,所述检测设备用于检测所述清洗液中的金属元素。
进一步地,所述检测设备包括检测腔和检测组件,所述检测腔与所述清洗腔对应地连通,所述检测组件位于所述检测腔内。
进一步地,所述检测组件包括滴定仪。
进一步地,所述处理装置还包括:循环管路,所述循环管路的进水口、出水口均与所述清洗腔连通,所述检测设备在所述循环管路的进水口的下游位置且与所述循环管路连通。
进一步地,所述处理装置还包括:取样管路,所述取样管路的一端与所述循环管路的进水口的下游位置连通,另一端连通所述检测设备。
进一步地,所述处理装置还包括运送泵,所述运送泵设置在所述循环管路上。
进一步地,所述处理装置还包括过滤器,所述过滤器设置在所述运送泵和所述出水口之间的所述循环管路上。
进一步地,所述处理系统中包含多个所述处理装置。
进一步地,所述处理系统还包括:错误侦测与判断装置,与所述检测设备电连接,用于根据所述检测设备的检测结果判断是否出现异常。
进一步地,在所述检测设备检测到的单位体积的金属重量大于预定值的情况下,所述错误侦测与判断装置判断为异常,在所述检测设备检测到的单位体积的金属重量小于或者等于预定值的情况,所述错误侦测与判断装置判断为正常。
进一步地,所述处理系统还包括:报警装置,所述报警装置与所述错误侦测与判断系统电连接,所述报警装置用于在所述错误侦测与判断装置判断出现异常的情况下,发出报警信号。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





