[发明专利]一种原子沉积置物框与原子沉积设备在审
| 申请号： | 202010116405.7 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111180371A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 侯新倾;刘权辉;周超;吴克恒 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18;H01L21/02;C23C16/40;C23C16/458 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王雨 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原子 沉积 置物框 设备 | ||
1.一种原子沉积置物框，其特征在于，包括置物单元，所述置物单元包括多个置物台面；
多个所述置物台面套嵌设置于所述置物单元中，且尺寸较小的所述置物台面位置低于尺寸较大的所述置物台面；
尺寸最小的所述置物台面底部包括负压腔体，所述负压腔体包括多个放气孔。
2.如权利要求1所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述原子沉积置物框包括多个所述置物单元；
多个所述置物单元矩阵分布于同一平面上。
3.如权利要求2所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述置物台面为矩形置物台面。
4.如权利要求3所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述矩形置物台面为直角矩形置物台面。
5.如权利要求1所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述负压腔体在尺寸最小的所述置物台面上的开口为矩形开口。
6.如权利要求5所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述矩形开口为倒角矩形开口。
7.如权利要求1所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述放气孔的直径的范围为0.2毫米至6毫米，包括端点值。
8.如权利要求1所述的原子沉积置物框，其特征在于，每个所述置物单元包括2个置物台面。
9.如权利要求1至8任一项所述的原子沉积置物框，其特征在于，所述原子沉积置物框为石墨置物框。
10.一种原子沉积设备，其特征在于，所述原子沉积设备包括如权利要求1至9中任一项所述的原子沉积置物框。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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