[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法，包括：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽；在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，主动矩阵有机发光二极管)显示面板以其轻薄、可弯曲、可穿戴等优点成为下一代显示技术的杰出代表。为了提高AMOLED显示面板的弯折区的弯折性能，目前，最常见的方法是使用多步刻蚀的方法除去AMOLED显示面板中阵列基板的弯折区的无机膜层，采用应力较小的有机膜层代替，从而提高AMOLED显示面板的弯折性能。

但是，上述方法需要进行11道掩模工序才能够实现，技术工艺繁琐，生产效率较低。

故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法，以解决现有的显示面板中的阵列基板制备过程中需要较多的掩模工序的技术问题。

本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括：

步骤A：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；

步骤B：以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽，其中，所述第一通孔、所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；

步骤C：在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；

步骤D：形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。

在本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述阻挡构件是在形成所述半导体构件或所述栅极的过程中形成的。

在本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述步骤A包括：

在所述基板层上形成半导体材料层；

对所述半导体材料层进行图案化处理，以形成所述半导体构件和所述阻挡构件；

在所述半导体构件上依次形成所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。

在本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述步骤A包括：

在所述基板层上形成所述半导体构件；

在所述半导体构件上形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成金属材料层；

对所述金属材料层进行图案化处理，以形成所述栅极和所述阻挡构件；

在所述栅极上形成所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。

在本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法中，所述凹槽包括第一凹槽和开口位于所述第一凹槽的底部的第二凹槽，所述阻挡构件位于所述第一凹槽的底部，并且位于所述第二凹槽的开口的外侧；