[发明专利]阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：

步骤A：在基板层上依次形成半导体构件、阻挡构件、第一绝缘层、栅极、第二绝缘层、层间绝缘层；

步骤B：以预定掩模和所述阻挡构件的组合对所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层实施光罩制程，并进行蚀刻，以在所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层上形成第一通孔、第二通孔、凹槽，其中，所述第一通孔、所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；

步骤C：在所述第一通孔、所述第二通孔和所述凹槽设置金属层，以形成源极、漏极、金属构件；

步骤D：形成平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阻挡构件是在形成所述半导体构件或所述栅极的过程中形成的。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤A包括：

在所述基板层上形成半导体材料层；

对所述半导体材料层进行图案化处理，以形成所述半导体构件和所述阻挡构件；

在所述半导体构件上依次形成所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述步骤A包括：

在所述基板层上形成所述半导体构件；

在所述半导体构件上形成所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成金属材料层；

对所述金属材料层进行图案化处理，以形成所述栅极和所述阻挡构件；

在所述栅极上形成所述第二绝缘层、所述层间绝缘层。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽和开口位于所述第一凹槽的底部的第二凹槽，所述阻挡构件位于所述第一凹槽的底部，并且位于所述第二凹槽的开口的外侧；

所述步骤B包括：

使用所述预定掩模，对所述基板层、所述半导体构件、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层与所述弯折区对应的部分实施第一光罩制程，并进行蚀刻，以形成所述第一凹槽；

使用所述预定掩模和所述阻挡构件的组合，对所述基板层、所述半导体构件、所述第一绝缘层、所述栅极、所述第二绝缘层和所述层间绝缘层与所述第一凹槽对应的部分实施第二光罩制程，并进行蚀刻，以形成所述第二凹槽。

6.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述金属构件的至少一部分覆盖所述第一凹槽的侧壁、所述阻挡构件及所述第二凹槽的侧壁和底部。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板层；

半导体构件，所述半导体构件设置于所述基板层上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述半导体构件；

栅极，所述栅极设置于所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述栅极；

层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖所述第二绝缘层；

源极，所述源极的至少一部分填充第一通孔，所述源极与所述半导体构件电性连接；

漏极，所述漏极的至少一部分填充第二通孔，所述漏极与所述半导体构件电性连接；

阻挡构件，所述阻挡构件与所述半导体构件或所述栅极位于同一层别；

金属构件，所述金属构件的至少一部分填充凹槽；

平坦化层，所述平坦化层设置于所述层间绝缘层上，并覆盖所述凹槽；

其中，所述第一通孔与所述第二通孔位于所述阵列基板的显示区，且所述第一通孔和所述第二通孔的底部与所述半导构件相连，所述凹槽位于所述阵列基板的弯折区，所述阻挡构件设置于所述弯折区。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡构件是在形成所述半导体构件或所述栅极的过程中形成的。